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SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM(異步SRAM）、Sync SRAM(同步SRAM)等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)。
半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲(chǔ)矩陣，譯碼驅(qū)動(dòng)電路和讀/寫(xiě)電路等等。
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2020-7-23 23:09 上傳
下面介紹幾個(gè)重要的概念：
讀寫(xiě)電路：包括讀出放大器和寫(xiě)入電路，用來(lái)完成讀/寫(xiě)操作。
地址線：?jiǎn)蜗蜉斎耄湮粩?shù)與芯片的容量有關(guān)
片選線：確定哪個(gè)芯片被選中（用來(lái)選擇芯片）
數(shù)據(jù)線：雙向輸入，其位數(shù)與芯片可讀出或者寫(xiě)入的位數(shù)有關(guān)，也與芯片容量有關(guān)。
存儲(chǔ)容量
通常我們將存儲(chǔ)容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個(gè)字，一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。
下面我們來(lái)看一道例題：
一個(gè)64Kx8位的存儲(chǔ)器，可以由（）個(gè)16kx1位的存儲(chǔ)芯片構(gòu)成？
分析：64Kx8位，說(shuō)明該存儲(chǔ)器是以8位構(gòu)成一個(gè)字，因此，每讀出一個(gè)字，需要選中8片16kx1位的存儲(chǔ)芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16=4片，根據(jù)組合的原理，一共需要4x8=32片。
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從圖中我們可以看出，相當(dāng)于把32個(gè)芯片分成了4組，每組8片（表示8位）。于是得出這樣的結(jié)論：
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2020-7-23 23:09 上傳
SRAM存儲(chǔ)器原件所使用的mos管多，占用硅片面積大，集成度低，但是采用觸發(fā)器工作原理存儲(chǔ)信息，因此即使信息讀出之后，它仍然保持原狀，不需要再生，但是電源掉電時(shí)，原存有的信息就會(huì)消失，因此它屬于易失性存儲(chǔ)器。因?yàn)檫@個(gè)比較的簡(jiǎn)單。
基本特點(diǎn)
現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下：
工作原理：觸發(fā)器
◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。
◎SRAM使用的系統(tǒng)：
CPU與主存之間的高速緩存。
CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。
CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。
CMOS146818芯片（RT&CMOS SRAM）
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