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             GD32F205RCT6是基于Cortex M3內核32bit(位)通用型MUC產品,主頻為120MHz, 片內閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平,內嵌實時時鐘(RTC) 和2個看門狗(WDG), 集成了豐富的外設功能,這款單片機GD32F205RCT6面向工業和消費類嵌入式應用,適用于工業自動化、人機界面、電機控制、安防監控、智能家居家電及物聯網等,  

      單片機GD32F205RCT6內置SRAM為128KB的內存,但在面對實際上的應用設計中,如果出現單片機內置SRAM內存不夠的情況,大部分設計人員會考慮外擴SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在讀寫限制的問題,確實是考慮外擴內存的首選,但如果采用并口外擴內存需要較多的MCU管腳,給MCU無形中帶來了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作為單片機外擴的資源,相對來說更好,串行SRAM只需要八個管腳,SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積,

      GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的,并且有三個SPI,可以通過用SPI接口外擴串行SRAM對單片機進行內存的拓展。串行SRAM其實嚴格來說是一種偽靜態SRAM,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協議(無需刷新,無需DRAM控制器)、具有DRAM單管存儲結構的存儲器,比SRAM容量大很多,價格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失為外擴單片機內存的一種解決方案。


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沙發
ID:273087 發表于 2018-11-21 16:58 | 只看該作者
大部分設計人員會考慮外擴SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在讀寫限制的問題,確實是考慮外擴內存的首選,但如果采用并口外擴內存需要較多的MCU管腳,給MCU無形中帶來了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作為單片機外擴的資源,相對來說更好,串行SRAM只需要八個管腳,SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積,
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板凳
ID:273087 發表于 2019-6-11 10:46 | 只看該作者
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