WL0123 發表于 2025-11-5 15:48
上電逐個實測不同工況點下各項參數編制數據表，編程控制能實現目的，但要求MOS內阻特性一致性好，否則不 ...

是的   

ZSJM 發表于 2025-11-5 15:33
實際使用是有類似的電路, 因為對限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護芯片就是這樣的.不用精 ...

放大倍數那么小 我也不知道什么原因  

wufa1986 發表于 2025-11-5 11:56
運放電容不要亂加，C3C2都是是錯誤的

是不是輸出接一個電阻再接電容

發表于 2025-11-5 11:09
個人看法：從圖看，該是比較器，前級放大再后級比較。其用意是過流監測吧？電流超過一定值，比較器翻轉給MC ...

是的  我的理解也是那樣的   

npn 發表于 2025-11-5 07:33
MOS管溫度越高內阻越大，誤差可能會超過20%

那這么說的話  就是計算出來的過流點誤差很大了  

WL0123 發表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性，其導通內阻不是恒定值，在不同VGS、結溫 ...

短路保護可以的  

zhuls 發表于 2025-11-4 14:35
半導體有一個特性就是非線性，你拿它來當采樣電阻，能準嗎？

很多電池保護板都是那樣做的  還可以防反接呢  

發表于 2025-11-4 14:21
什么叫做錯在哪里，已經驗證過了話就把實際輸入輸出結果說一下，還有就是你這運放前一個是放大作用后一個是 ...

好的   謝謝

wjhhhhh 發表于 2025-11-5 13:01
確實新穎      如果從手冊上查到這些參數  或者上電逐個實測不同工況點下各項參數  能不能實現呢？

上電逐個實測不同工況點下各項參數編制數據表，編程控制能實現目的，但要求MOS內阻特性一致性好，否則不適合量產。另外還要考慮相關電路與傳統取樣電阻方式有無成本優勢。

實際使用是有類似的電路, 因為對限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護芯片就是這樣的.不用精確查表.

U4A放大取樣電壓(你這個電路放大倍數有點小). 然后與VREF比較大小, 結果輸出高/低電平給MCU.

WL0123 發表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性，其導通內阻不是恒定值，在不同VGS、結溫 ...

確實新穎      如果從手冊上查到這些參數  或者上電逐個實測不同工況點下各項參數  能不能實現呢？

運放電容不要亂加，C3C2都是是錯誤的

MOS管的內阻在固定的溫度下通過固定電流是固定的，要單片機做一個表格溫補查表。

個人看法：從圖看，該是比較器，前級放大再后級比較。其用意是過流監測吧？電流超過一定值，比較器翻轉給MCU。

MOS管溫度越高內阻越大，誤差可能會超過20%

你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性，其導通內阻不是恒定值，在不同VGS、結溫和DS電流時內阻都不同。何況其內阻變化雖然是毫歐級，但比值確很大，基本不可能精確計算出不同工況下過流點。用作短路保護作粗略取樣也許能行。

半導體有一個特性就是非線性，你拿它來當采樣電阻，能準嗎？

什么叫做錯在哪里，已經驗證過了話就把實際輸入輸出結果說一下，還有就是你這運放前一個是放大作用后一個是比較作用，5/3.2這式子列不出來的。MOS的內阻不是恒定的，受節溫度和漏極電流大小影響的

（VAMP=5V）