利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻的過流點(diǎn)計(jì)算，計(jì)算方法錯(cuò)在哪里？

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-4 11:33

利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻的過流點(diǎn)計(jì)算，計(jì)算方法錯(cuò)在哪里？

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-4 11:33

（VAMP=5V）

ID:980134 · 發(fā)表于 2025-11-4 14:21

什么叫做錯(cuò)在哪里，已經(jīng)驗(yàn)證過了話就把實(shí)際輸入輸出結(jié)果說一下，還有就是你這運(yùn)放前一個(gè)是放大作用后一個(gè)是比較作用，5/3.2這式子列不出來的。MOS的內(nèi)阻不是恒定的，受節(jié)溫度和漏極電流大小影響的

ID:69038 · 發(fā)表于 2025-11-4 14:35

半導(dǎo)體有一個(gè)特性就是非線性，你拿它來當(dāng)采樣電阻，能準(zhǔn)嗎？

ID:1133081 · 發(fā)表于 2025-11-4 16:03

你利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻確實(shí)新穎。不過根據(jù)MOS管導(dǎo)通特性，其導(dǎo)通內(nèi)阻不是恒定值，在不同VGS、結(jié)溫和DS電流時(shí)內(nèi)阻都不同。何況其內(nèi)阻變化雖然是毫歐級(jí)，但比值確很大，基本不可能精確計(jì)算出不同工況下過流點(diǎn)。用作短路保護(hù)作粗略取樣也許能行。

ID:57657 · 發(fā)表于 2025-11-5 07:33

MOS管溫度越高內(nèi)阻越大，誤差可能會(huì)超過20%

ID:21455 · 發(fā)表于 2025-11-5 11:09

個(gè)人看法：從圖看，該是比較器，前級(jí)放大再后級(jí)比較。其用意是過流監(jiān)測(cè)吧？電流超過一定值，比較器翻轉(zhuǎn)給MCU。

ID:17340 · 發(fā)表于 2025-11-5 11:26

MOS管的內(nèi)阻在固定的溫度下通過固定電流是固定的，要單片機(jī)做一個(gè)表格溫補(bǔ)查表。

ID:879348 · 發(fā)表于 2025-11-5 11:56

運(yùn)放電容不要亂加，C3C2都是是錯(cuò)誤的

ID:91150 · 發(fā)表于 2025-11-5 13:01

WL0123 發(fā)表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻確實(shí)新穎。不過根據(jù)MOS管導(dǎo)通特性，其導(dǎo)通內(nèi)阻不是恒定值，在不同VGS、結(jié)溫 ...

確實(shí)新穎如果從手冊(cè)上查到這些參數(shù) 或者上電逐個(gè)實(shí)測(cè)不同工況點(diǎn)下各項(xiàng)參數(shù) 能不能實(shí)現(xiàn)呢？

ID:1079566 · 發(fā)表于 2025-11-5 15:33

實(shí)際使用是有類似的電路, 因?yàn)閷?duì)限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護(hù)芯片就是這樣的.不用精確查表.

U4A放大取樣電壓(你這個(gè)電路放大倍數(shù)有點(diǎn)小). 然后與VREF比較大小, 結(jié)果輸出高/低電平給MCU.

ID:1133081 · 發(fā)表于 2025-11-5 15:48

wjhhhhh 發(fā)表于 2025-11-5 13:01
確實(shí)新穎如果從手冊(cè)上查到這些參數(shù) 或者上電逐個(gè)實(shí)測(cè)不同工況點(diǎn)下各項(xiàng)參數(shù) 能不能實(shí)現(xiàn)呢？

上電逐個(gè)實(shí)測(cè)不同工況點(diǎn)下各項(xiàng)參數(shù)編制數(shù)據(jù)表，編程控制能實(shí)現(xiàn)目的，但要求MOS內(nèi)阻特性一致性好，否則不適合量產(chǎn)。另外還要考慮相關(guān)電路與傳統(tǒng)取樣電阻方式有無成本優(yōu)勢(shì)。

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:55

發(fā)表于 2025-11-4 14:21
什么叫做錯(cuò)在哪里，已經(jīng)驗(yàn)證過了話就把實(shí)際輸入輸出結(jié)果說一下，還有就是你這運(yùn)放前一個(gè)是放大作用后一個(gè)是 ...

好的謝謝

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:55

zhuls 發(fā)表于 2025-11-4 14:35
半導(dǎo)體有一個(gè)特性就是非線性，你拿它來當(dāng)采樣電阻，能準(zhǔn)嗎？

很多電池保護(hù)板都是那樣做的還可以防反接呢

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:56

WL0123 發(fā)表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻確實(shí)新穎。不過根據(jù)MOS管導(dǎo)通特性，其導(dǎo)通內(nèi)阻不是恒定值，在不同VGS、結(jié)溫 ...

短路保護(hù)可以的

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:56

npn 發(fā)表于 2025-11-5 07:33
MOS管溫度越高內(nèi)阻越大，誤差可能會(huì)超過20%

那這么說的話就是計(jì)算出來的過流點(diǎn)誤差很大了

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:56

發(fā)表于 2025-11-5 11:09
個(gè)人看法：從圖看，該是比較器，前級(jí)放大再后級(jí)比較。其用意是過流監(jiān)測(cè)吧？電流超過一定值，比較器翻轉(zhuǎn)給MC ...

是的我的理解也是那樣的

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:57

wufa1986 發(fā)表于 2025-11-5 11:56
運(yùn)放電容不要亂加，C3C2都是是錯(cuò)誤的

是不是輸出接一個(gè)電阻再接電容

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:57

ZSJM 發(fā)表于 2025-11-5 15:33
實(shí)際使用是有類似的電路, 因?yàn)閷?duì)限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護(hù)芯片就是這樣的.不用精 ...

放大倍數(shù)那么小我也不知道什么原因

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-11-11 18:57

WL0123 發(fā)表于 2025-11-5 15:48
上電逐個(gè)實(shí)測(cè)不同工況點(diǎn)下各項(xiàng)參數(shù)編制數(shù)據(jù)表，編程控制能實(shí)現(xiàn)目的，但要求MOS內(nèi)阻特性一致性好，否則不 ...

是的

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利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻的過流點(diǎn)計(jì)算，計(jì)算方法錯(cuò)在哪里？

利用MOS內(nèi)阻作為電流采樣電阻的過流點(diǎn)計(jì)算，計(jì)算方法錯(cuò)在哪里？