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問題一 我們小功率用到最多的反激電源,為什么我們常常選擇65K或者100K(這些頻率段附近)作為開關(guān)頻率?有哪些原因制約了?或者哪些情況下我們可以增大開關(guān)頻率?或者減小開關(guān)頻率? 開關(guān)電源為什么常常選擇65K或者100K左右范圍作為開關(guān)頻率,有的人會說IC廠家都是生產(chǎn)這樣的IC,當(dāng)然這也有原因。每個電源的開關(guān)頻率會決定什么? 應(yīng)該從這里去思考原因。還會有人說頻率高了EMC不好過,一般來說是這樣,但這不是必然,EMC與頻率有關(guān)系,但不是必然。想象我們的電源開關(guān)頻率提高了,直接帶來的影響是什么?當(dāng)然是MOS開關(guān)損耗增大,因為單位時間開關(guān)次數(shù)增多了。如果頻率減小了會帶來什么?開關(guān)損耗是減小了,但是我們的儲能器件單周期提供的能量就要增多,勢必需要的變壓器磁性要更大,儲能電感要更大了。選取在65K到100K左右就是一個比較合適的經(jīng)驗折中,電源就是在折中合理化折中進行。 假如在特殊情形下,輸入電壓比較低,開關(guān)損耗已經(jīng)很小了,不在乎這點開關(guān)損耗嗎,那我們就可以提高開關(guān)頻率,起到減小磁性器件體積的目的。 本問關(guān)鍵:如何選擇合適IC的開關(guān)頻率?主流IC的開關(guān)頻率為什么是大概是這么一些范圍?開關(guān)頻率和什么有關(guān),說的是普遍情況,不是想鉆牛角尖好多IC還有什么不同的頻率。更多的想發(fā)散大家思維去注意到這些問題! 我這里想說的普遍情況,主要想提的是開關(guān)頻率和什么有關(guān),如何去選擇合適開關(guān)頻率,為什么主流IC以及開關(guān)頻率是這么多,注意不是一定,是普遍情況,讓新手區(qū)理解一般行為,當(dāng)然開關(guān)電源想怎么做都可以,要能合理使用。 1、你是如何知道一般選擇65或者100KHZ,作為開關(guān)電源的開關(guān)頻率的?(調(diào)研普遍的大廠家主流IC,這二個會比較多,當(dāng)然也有一些在這附近,還有一些是可調(diào)的開關(guān)頻率) 2、又是如何在工作中發(fā)現(xiàn)開關(guān)電源開關(guān)頻率確實工作在65KHZ,或100KHZ的。(從設(shè)計角度考量,普遍電源使用這個范圍) 3、有兩張以上的測試65KHZ100KHZ頻率的圖片說明嗎?(何止二張圖片,毫無意義) 4、你是否知道開關(guān)電源可以工作在1.5HZ.(你覺得這樣談有必要,工作沒有什么不可以,純熟鉆牛角尖,做技術(shù)切記鉆牛角尖,那你能談?wù)劄槭裁雌毡殡娫床还ぷ髟?.5HZ,說這個才有意義,你做出1.5HZ的電源純屬毫無意義的事情) 提醒:做技術(shù)人員切記鉆牛角尖,咱們不是校園研究派,是需要將理論與實踐現(xiàn)結(jié)合起來,做出來的產(chǎn)品才是有意義的產(chǎn)品! 問題二
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問題三
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問題四
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問題五 我們選擇拓撲時需要考慮哪些方面的因素?各種拓撲使用環(huán)境及優(yōu)缺點? 設(shè)計電源的第一步不知道大家會想到什么呢?我是這么想,細致研究客戶的技術(shù)指標(biāo)要求,轉(zhuǎn)換為電源的規(guī)格書,與客戶溝通指標(biāo),不同的指標(biāo)意味著設(shè)計難度和成本,也是對我提出的問題有很大的影響,選擇拓撲時根據(jù)我們的電源指標(biāo)結(jié)合成本來考慮的,哪常用的幾種拓撲特點在哪呢 ? 這里主要談隔離式,非隔離式應(yīng)用有限,當(dāng)然也是成本最低的。 反激特點:適用在小于150W,理論這么說,實際大于75W就很少用,不談很特殊的情況。反激的有點成本低,調(diào)試容易(相對于半橋,全橋),主要是磁芯單向勵磁,功率由局限性,效率也不高,主要是硬開關(guān),漏感大等等原因。全電壓范圍(85V-264V)效率一般在80%以下,單電壓達到80%很容易。 正激特點:功率適中,可做中小功率,功率一般在200W以下,當(dāng)然可以做很大功率,只是不常常這么做,原因是正激和反激一樣單向勵磁,做大功率磁芯體積要求大,當(dāng)然采用2個變壓器串并聯(lián)的也有,注意只談一般情形,不誤導(dǎo)新人。正激有點,成本適中,當(dāng)然比反激高,優(yōu)點效率比反激高,尤其采用有源箝位做原邊吸收,將漏感能量重新利用。 半橋:目前比較火的是LLC諧振半橋,中小功率,大功率通吃型。(一般大于100W小于3KW)。特點成本比反激正激高,因為多用了1個MOS管(雙向勵磁)和1個整流管,控制IC也貴,環(huán)路設(shè)計業(yè)復(fù)雜(一般采用運放,尤其還要做電流環(huán))。優(yōu)點:采用軟開關(guān),EMC好,效率極高,比正激高,我做過960W LLC,效率可達96%以上(全電壓)(當(dāng)然PFC是采用無橋方式)。其它半橋我不推薦,至少我不會去用,比較老的不對稱橋,很難做到軟開關(guān),LLC成熟以前用的多,現(xiàn)在很少用,至少艾默生等大公司都傾向于LLC,跟著主流走一般都不會錯。 全橋:一般用在大于2KW以上,首推移相全橋,特點,雙向勵磁,MOS管應(yīng)力小,比LLC應(yīng)力小一半,大功率尤其輸入電壓較高時,一般用移相全橋,輸入電壓低用LLC。成本特別高,比LLC還多用2個MOS。這還不是首要的,主要是驅(qū)動復(fù)雜,一般的IC驅(qū)動能力都達不到,要將驅(qū)動放大,采用隔離變壓器驅(qū)動,這里才是成本高的另一方面。 推挽:應(yīng)用在大功率,尤其是輸入電壓低的大功率場合,特點電壓應(yīng)力高,當(dāng)然電流應(yīng)力小,大功率用全橋還是推挽一般看輸入電壓。變壓器多一個繞組,管子應(yīng)力要求高,當(dāng)然常提到的磁偏磁也需要克服。這個我真沒用過,沒涉及電力電源,很難用到它的時候。 問題六
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問題七 電源的環(huán)路設(shè)計,電源哪些部分影響電源的環(huán)路?好的環(huán)路有哪些指標(biāo)決定? 電源的環(huán)路設(shè)計一直是一個難點,為什么這么說,因為主要影響的因素太多,理論計算很難做到準(zhǔn)確,仿真也是基于理想化模型,在這里只談關(guān)于環(huán)路設(shè)計的一些影響因素,從定性的角度去理解環(huán)路以及怎么去做環(huán)路補償。 環(huán)路是基于輸入輸出波動時,需要通過反饋,環(huán)路相應(yīng)告知控制IC去調(diào)節(jié),維持輸出的穩(wěn)定。電源環(huán)路一般都是串聯(lián)負反饋,有的是電壓串聯(lián)負反饋(CC模式下),有的是電流串聯(lián)負反饋(CV模式下)。 那有哪些地方會影響環(huán)路呢?電路中的零點以及極點。零點一般會導(dǎo)致增益上升,引起90度相移(右半平面零點會引起-90度相移)。極點一般會導(dǎo)致增益下降,引起-90度相移,左半平面極點會引起系統(tǒng)震蕩。所以我們需要借助零點極點補償手段去合理調(diào)控我們的環(huán)路。對于低頻部分,為了滿足足夠增益一般引入零點補償,對于高頻干擾一般引入極點補償去抵消,減少高頻干擾。 環(huán)路穩(wěn)定的原則是:1.在穿越頻率處(即增益為零dB時的頻率),系統(tǒng)的相位余量大于45度。 2.在相位達到-180度時增益的余量大于-12dB.3.避免過快的進入穿越頻率,在進入穿越頻率附近的曲線斜率為-1. 針對一般反激電路: 1.產(chǎn)生零點的有輸出濾波電容 :可以使環(huán)路增益上升。(一般在中頻4K左右,對增益有好處,無需補償) 2.若工作在CCM模式下還會產(chǎn)生右半平面零點。在高頻段,可采用極點補償。這個一般很難補償,盡量避免,讓穿越頻率小于右半平面零點頻率(15K左右,隨負載變化會變化),選取。 3.負載會產(chǎn)生低頻極點。采用低頻零點去補償。 4.LC濾波器會產(chǎn)生低頻極點,需要采用零點補償。在心中要清楚哪些零極點是利是弊,針對性補償。 補償?shù)碾娐罚槍﹄娫喘h(huán)路來說比較簡單,一般采用對運放采用2型補償,也有的會采用3型補償很少用。 問題八
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問題九
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問題十
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問題十一 評判一塊電源板LAYOUT好壞有哪些地方能一陣見血發(fā)現(xiàn)? 什么樣的PCB是一塊好的PCB,至少要滿足以下一個方面:1.電性能方面干擾小,關(guān)鍵信號線及底線走的合理,各方面性能穩(wěn)定(前提是電路無缺陷)。2.利于EMC,輻射低,環(huán)路走的合理。3.滿足安規(guī),安規(guī)距離滿足要求。4.滿足工藝,量產(chǎn)可生產(chǎn)性,以及減小生產(chǎn)成本。5.美觀,布局規(guī)則有序(器件不東倒西歪),走線漂亮美觀,不七彎八繞的。 如何才能做到以上幾點,分享我的布板經(jīng)驗: 1.布局前,了解清楚電源的規(guī)格書,電源的規(guī)格,有無特殊要求,以及要過的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。結(jié)構(gòu)輸入條件是不是準(zhǔn)確,以及風(fēng)道的確認(rèn),輸入輸出端口的確認(rèn),以及主功率流向。 工藝路線選取,根據(jù)器件的密度,以及有無特殊器件,選擇相對應(yīng)工藝路線。 2.布局中,注意合理的布局,保證四大環(huán)路盡可能小,提前預(yù)判后續(xù)走線是否好走。變壓器的擺放基本決定了整體的布局,一定要慎重,放到最佳位置。EMI部分的布局流向清晰,與其它主功率部分有清晰的隔離帶。減少受到主功率開關(guān)器件的干擾。各吸收回路的面積盡可能小,散熱器的長度以及位置要合理,不擋風(fēng)道。 3.走線部分,輸入EMI電路的走線是否滿足安規(guī),原副邊距離,輸入輸出對大地的距離都要滿足安規(guī)。走線的粗細是否滿足足夠的電流大小,關(guān)鍵信號(例如驅(qū)動信號,采樣信號,地線是否合理),驅(qū)動信號不要干擾敏感信號(高頻信號);采樣信號是否采樣準(zhǔn)確,是否會受到干擾;地線是否拉得合理(有時需要單點接地,有時需要多點接地跟實際需要有關(guān)),主功率地和信號地嚴(yán)格區(qū)分開,原邊芯片地從采樣電阻取,不要從大電解取(尤其是采樣電阻和大電解地距離遠時),VCC的地前級地回大電解,二級電容地接芯片,反饋信號也單點接IC,地單點接IC。散熱器的地必須接主功率地,不能接信號地等等很多的細節(jié)要求。 問題十二 電源的元器件你懂多少?MOS管結(jié)電容多大,對哪些有影響?RDS跟溫度是什么關(guān)系?肖特基反向恢復(fù)電流影響什么?電容的ESR會帶來哪些影響? 電源中的設(shè)計的器件類型很多,主要有半導(dǎo)體器件如:MOS管,三極管,IC,運放,二極管,光耦等;磁**件:電感,變壓器,磁珠等;電容:Y電容,X電容,瓷片電容,電解電容,貼片電容等;每種器件都有其規(guī)格,極限參數(shù)。 常規(guī)的參數(shù)在我們選型很容易把握,例如選取MOS管,耐壓參數(shù)肯定會考慮,額定電流也會考慮,導(dǎo)通電阻我們會考慮,但還有一些寄生參數(shù)以及一些隨溫度變化特性的參數(shù)卻很少去注意,或者只有在發(fā)現(xiàn)問題的時候才會去找。導(dǎo)通電阻Rds(on)隨溫度升高其阻值是變大的,設(shè)計MOS管損耗時要考慮到其工作的環(huán)境溫度。結(jié)電容影響到我們的開通損耗,也會影響到EMC。 肖特基二極管耐壓,額定電流一般很好注意,有些參數(shù)例如導(dǎo)通壓降在溫度升高時會減小,反向恢復(fù)時間短,不過漏電流大(尤其是考慮到高溫時漏電流影響就更大了),寄生電感會引起關(guān)斷尖峰很高 電容一個重要參數(shù)ESR,在計算紋波時通常會考慮,ESR一般與C的關(guān)聯(lián)是很大的,不過不同廠家的品質(zhì)因素影響也是很巨大,一定要具體分清楚。 一般估算公司可參考:ESR=10/(C的0.73次方),電容在高溫時壽命會縮短,低溫時容量會減小,漏電流也會增加等等; 當(dāng)然器件在特殊情形表現(xiàn)出來的特性差異是值得我們思考的問題,請大家多多思量,對于我們解決特殊情況下的問題非常有幫助。 問題十三
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問題十四
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問題十五
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