推薦一種新型內(nèi)存擴(kuò)充方案：串行PSRAM

ID:152336 · 發(fā)表于 2016-12-6 09:30

再FPGA設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，大部分人會選擇SRAM、SDRAM、甚至DDR. 這些選擇，要么價(jià)格比較高，要么需要很多I/O資源

這里介紹一種串行PSRAM方案
PSRAM是一種pseudo SRAM，具有SRAM的接口，DRAM的內(nèi)核（1T1C），因此，它具有DRAM這樣的成本/bit優(yōu)勢、SRAM的簡單易用的特點(diǎn)。
有3種串行接口、3種不同的數(shù)據(jù)速率可以選擇：
SPI，時(shí)鐘最高104MHz，數(shù)據(jù)最高速率為104Mbps
QPI：時(shí)鐘最高104MHz，數(shù)據(jù)最高速率為416Mbps
OPI: 時(shí)鐘最高200MHz，支持DDR，數(shù)據(jù)最高速率為3200Mbps或者400MB/s

如果你不需要Android，運(yùn)營一個(gè)RTOS，這種存儲方案最理想。由于是串行結(jié)構(gòu)，它需要的管腳資源也比較少，OPI 13腳，SPI4個(gè)信號腳。在需要小型化、流媒體處理、信號處理、數(shù)據(jù)緩存等場合受到廣泛應(yīng)用，比如智能語音交互、人機(jī)自然語音對話、通信數(shù)據(jù)處理等。歡迎交流 sqpi_psram@153.com

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