自制的場效應功放電路圖

ID:127902 · 發表于 2016-6-25 01:30

場效應管具有輸入阻抗高、頻率特性好、穩定性好(無二次擊穿現象)、低噪聲、低失真等特點，已被廣泛地應用在音響電路中，用VMOS功率場效應管制成的功放，音色優美，音色比雙極型晶體管功放暖，與電子管功放相似，失真小且制作容易，因此很受音響愛好者的喜愛。能擁有自制的高品質功放更是很多發燒友的夢想，因為自己動手制作功放
既可以學習技術，又可以根據自己的喜好制出適合自己品位的功放，實為一種樂趣和享受。下面介紹一款簡潔易制的場效應管功放。

如圖所示(圖中只畫出一個聲道)。為減小失真，輸入級采用差動放大電路。V1用對管2SC1583，穩定性和對稱性好；V2接成恒流源，為本級提供穩定的靜態工作
電流，采用恒流源作差動放大器的射極電阻，可提高差動放大器的共模抑制比和動態范圍，從而進一步改善失真。c1為輸入耦合電容，R1、c2構成低通濾波器，阻止前級的超音頻干擾信號竄入功放；R2決定了功放的輸入阻抗。合形式，是從成本上考慮的。若全用場效應管，效果更好。

各管的射(陰)極都加有本級電流負反饋電阻，起穩定靜態工作點的作用。有利于改善失真。整機負反饋則由R18、R19、C6、C7組成，總增益約為26．8dB。C7是隔直電容，使前后級形成直流全負反饋，保證輸出中點靜態零電位。

c3、c6是為了抑制高頻自激振蕩而設置。放大器的電壓增益大部分由V3獲得，而c3可產生高頻負反饋，降低放大器的高頻增益，破壞高頻自激的幅度條件。但c3又使高頻相位
更加滯后，所以在反饋回路中加入C6，進行相位超前補償，破壞高頻自激的相位條件。

C5、R17組成相移校正電路，使負載近于純電阻。防止高頻自激。由于揚聲器阻抗中的電感分量在高頻時明顯增加，使放大器的負載呈電感性，引起輸電流滯后于輸m電
壓。若放大器的高頻增益較高，還容易產生高頻自激振蕩。

R13、R14串接在柵極是防止VMOS管產生高頻自激。由于柵極的高阻抗，加上接線及分布電容、電感和柵極分布電容的影響，VMOS管在工作中可會出現高頻自激振蕩。解決V3為第二級電壓放大管，V5接成恒流源，為本級提供穩的靜態工作電流和高的負載阻抗，由于V5的存在，v3的壓增益大為提高，這樣，就不必用自舉電路。

V4、VR和R9接在V3、V5集電極之間構成Vbe擴大電，調節VR可改變末級大功率管的靜態工作電流。V4還起度補償作用，當功率管的溫度升高時，V4的發射結壓降小，于是V4的集電極一發射極電壓也降低，從而降低了功管的靜態電流，作用與二極管相似，但比二極管更靈，安裝時應與功率管一起裝在散熱器上，電氣上要絕。

V6一V9等組成輸出級，采用雙極型晶體管與場效應管混的辦法是加入阻尼電阻，即在柵極串接一只電阻(一般不超過1kQ)。

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