5v單片機(jī)驅(qū)動(dòng)BUCK電路的MOS管

ID:113276 · 發(fā)表于 2016-4-10 21:46

圖一：適合開關(guān)頻率不高的場(chǎng)合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2 R3大小由V+決定，V+越高，R2 R3越大，以保證電阻及三極管功耗在允許范圍，同時(shí)保證R2和R3的分壓VPP=V+ 減10V，同時(shí)V+不能大于40V。補(bǔ)充：圖二：適合高頻大功率場(chǎng)合，到達(dá)100KHz沒(méi)問(wèn)題，同時(shí)可以并聯(lián)多個(gè)MOSFET-P管

R2 R3需要滿足和圖一一樣的條件，其實(shí)就是圖一加了級(jí)推挽，這樣就可以保證MOSFET管高速開關(guān)，上面6P小電容是發(fā)射結(jié)結(jié)電容補(bǔ)償電容，可以改善三極管高速開關(guān)特性。另外：MOSFET的柵極電容較大，在使用的時(shí)候應(yīng)該把它當(dāng)成一個(gè)容抗負(fù)載來(lái)看。

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