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安世半導(dǎo)體MOSFET應(yīng)用手冊(cè)

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ID:1173799 發(fā)表于 2026-6-21 18:34 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
全書(shū)從 MOS 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、溝槽工藝、超級(jí)結(jié)、N/P 溝道、小信號(hào) / 功率 MOS 分層講解，覆蓋電源設(shè)計(jì)全流程痛點(diǎn)：

  • 靜態(tài)參數(shù)：RDS(on)​、閾值電壓、漏源漏電、雪崩耐受；
  • 動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)：柵電荷分段、米勒平臺(tái)、開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算、RC 緩沖、振鈴抑制；
  • 可靠性：SOA 安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、重復(fù)雪崩、熱循環(huán)、ESD 防護(hù)；
  • 熱設(shè)計(jì)：LFPAK 銅夾封裝熱阻、瞬態(tài)熱阻抗 Zth、多管并聯(lián)均流散熱；
  • 工程落地：PCB 鋪銅、驅(qū)動(dòng)回路布局、負(fù)載開(kāi)關(guān)、PFC、低壓 DC-DC 拓?fù)?br />

The_Power_MOSFET_Handbook_Chinese_Version_201808.pdf

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