保護性能解析:1、超低導通電阻:
PW2605R 內部集成了低導通電阻的MOSFET,典型值僅為130mΩ。這一特性使得在1.9A負載電流下,芯片自身壓降極小,有效減少了功率損耗,提高了系統效率。
2、快速的過壓保護(OVP):
OVP響應時間典型值為100ns,當輸入電壓超過設定的過壓閾值(固定6.1V或通過外部電阻調整)時,芯片能在極短時間內關閉內部MOSFET,防止過壓對后級電路造成損害。
3、可編程的過流保護(OCP):
用戶可通過連接IADJ引腳與地之間的電阻來設置過流保護閾值,范圍從0.5A至1.9A,精度為±5%。這一功能使得芯片能夠適應不同負載電流的需求,提供精確的過流保護。
4全面的保護功能:
欠壓鎖定(UVLO):當輸入電壓低于開啟閾值(2.8V)時,芯片保持關閉狀態,防止低電壓條件下工作不穩定。
過溫保護(OTP):當芯片內部溫度超過約160°C時,自動關閉輸出,防止過熱損壞。
輸入反接保護:有效防止輸入電源極性接反時對芯片及后級電路的損害。
FAULT指示輸出:當任何保護事件發生時,FAULT引腳輸出低電平信號,便于系統監測和故障排查。
低功耗設計:PW2605R 在待機狀態下具有極低的輸入靜態電流,有助于延長電池供電設備的續航時間。
典型應用場景:1、GPS設備:保護設備免受電源波動和異常電壓的影響。
2、車載DVR:在車輛復雜電源環境下提供穩定的電路保護。
3、MID(移動互聯網設備):確保設備在多種充電條件下安全運行。
4、數字視頻設備:防止視頻錄制過程中因電源問題導致的數據丟失或設備損壞。
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2026-6-8 13:01 上傳