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stc89c52等的io口內部上拉電阻究竟是多少歐?

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ID:349276 發表于 2026-2-12 21:23 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
大師們有實測沒有?proteus仿真完全靠不住:io口接1k下拉,測電阻電壓居然是4.9v
而deepseek說,接10k下拉,實際都可以拉到低電平。但也明確說沒有任何官方數據說了內部上拉的電阻大小。只能實測。可惜手里無工具。
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ID:584814 發表于 2026-2-14 09:51 | 顯示全部樓層
下拉,是保證低電平時真的是低電平不出妖蛾子。
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ID:1133081 發表于 2026-2-14 10:35 | 顯示全部樓層
指望靠仿真設計電路你就等著卷鋪蓋吧。
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ID:876947 發表于 2026-2-14 10:56 | 顯示全部樓層
1k到4.7k都非常合適,我喜歡用3.3k
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ID:76027 發表于 2026-2-14 11:44 | 顯示全部樓層
白水大蝦2016 發表于 2026-2-14 10:56
1k到4.7k都非常合適,我喜歡用3.3k

靠譜!
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ID:1109793 發表于 2026-2-14 17:08 | 顯示全部樓層
剛用萬用表測量了一下標準IO模式下對地的電流,14.25UA
算下來有350K了吧
所以你就放心吧。50K也能拉低
但是我們一般認為內部上拉是50K左右。
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ID:1109793 發表于 2026-2-14 17:08 | 顯示全部樓層
忘記說了,剛才的測試是STC8C2K32S2-LQFP44
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ID:1064915 發表于 2026-2-15 08:07 | 顯示全部樓層
用可調電源大概測一下
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ID:1153607 發表于 2026-2-15 09:48 | 顯示全部樓層
那個電流不大于250微安,所以那不是上拉電阻。其實都不是電阻只是借了電阻的概念罷了。
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ID:71233 發表于 2026-2-15 14:22 | 顯示全部樓層
輸出1,然后對地量一下電流就知道了。或者對地接一個電阻,然后量一下它的壓降,再推算上拉電阻有多大
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ID:71233 發表于 2026-2-15 14:29 | 顯示全部樓層
我有用過上述的方法估算ch552的上拉電阻,大約是4K,stc系列的沒有去測過
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ID:883242 發表于 2026-2-25 16:08 | 顯示全部樓層
datasheet里面一定有,你沒仔細看。另外io口如果不是配置成推挽模式而是配置成上拉模式,可以直接用萬用表電流檔短路高電平輸出和地,萬用表讀書就是輸出電流。不過這么做一定要小心,如果是推挽模式會弄壞單片機的。
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ID:349276 發表于 2026-2-25 20:20 | 顯示全部樓層
xiaobendan001 發表于 2026-2-14 17:08
剛用萬用表測量了一下標準IO模式下對地的電流,14.25UA
算下來有350K了吧
所以你就放心吧。50K也能拉低

感謝!
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ID:1034262 發表于 2026-2-25 20:29 | 顯示全部樓層
上拉屎一個MOS管,不是一個單純的電阻,大約等效20~50K,下拉到低電平,要5.1K以下才可靠。
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ID:883242 發表于 2026-2-25 23:37 | 顯示全部樓層
coody_sz 發表于 2026-2-25 20:29
上拉屎一個MOS管,不是一個單純的電阻,大約等效20~50K,下拉到低電平,要5.1K以下才可靠。

早期單片機時代,比如8051誕生的時代,全都是NMOS工藝,在這種工藝中高電平是一個GS短路的耗盡型NMOS管提供的,這就是個典型的恒流源,等效電阻就是電源電壓/恒流電流。現代單片機內部都是CMOS工藝,為了跟老電路兼容,上拉模式依然是這種恒流源。
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ID:349276 發表于 2026-2-28 09:54 | 顯示全部樓層
Hephaestus 發表于 2026-2-25 23:37
早期單片機時代,比如8051誕生的時代,全都是NMOS工藝,在這種工藝中高電平是一個GS短路的耗盡型NMOS管提 ...

那也就是說,下拉電阻不管多大,電流基本都是恒定的?也就是下拉電阻乘以這個電流,就基本能得出實際壓降?以此來確定下拉電阻范圍。

難怪還有一個問題一直困擾:51的rst復位電路,電容串的下拉電阻是10k歐,實際電路是可以工作的,但仿真這個電阻超過1000歐,電平永遠不是低電平。也就是仿真模型和你說的“衡流”,是不同的。
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ID:349276 發表于 2026-2-28 10:05 | 顯示全部樓層

剛查了一下,加上樓下高手的說明,看來這個電流基本可以看作是衡流。弱上拉或準雙向口,這個上拉電流基本在20ua上下,芯片不同有所差別,都是幾十ua。感謝實測。
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ID:1074206 發表于 2026-3-10 12:37 來自觸屏版 | 顯示全部樓層
仿真不可信,實物搞起來
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