• 輸出功率：Pout=9V×20A=180W   
• 線性串聯(lián)穩(wěn)壓（例如 7809 做基準，外接功放三極管以 24→9 降壓）時，掉壓約 24−9=15V24-9=15\text{V}  
  • 線性耗散功率：Pdiss=15V×20A=300WP_{diss}=15\text{V}\times20\text{A}=300\text{W}  
    
    
  
  

• 原因：效率高（常在 85–95%），把 300 W 的線性發(fā)熱降到大約 Ploss≈Pout×(1/η−1)P_{loss}\approx P_{out}\times(1/\eta-1)Ploss​≈Pout​×(1/η−1)。例如 90% 效率時：損耗約 180∗(1/0.9−1)=20180*(1/0.9-1)=20180∗(1/0.9−1)=20 W（可散熱，現(xiàn)實可行）。
• 如何避免射頻干擾（EMI）：選用 同步整流的低噪開關器件 + 良好輸入/輸出 LC 濾波 + 共模扼流器 + 屏蔽/接地。若對噪聲極敏感，可以在開關降壓后再并聯(lián)一個小線性后級 LDO 做低噪聲“清潔”源（線性只需處理小壓差，耗散小）。關于濾波和低噪聲設計的資料可參考模擬廠商應用筆記。
  
  

• MOSFET 在線性工作時比 BJTs 有時更好（低 Rds(on) 在接近飽和時），但把 MOSFET 作為線性通道仍會產(chǎn)生大量耗散，器件應選大封裝、并加流均衡（源阻）并強制風冷/水冷。仍然不推薦用于 300 W 級耗散場合，除非你能承擔冷卻系統(tǒng)。
• 若你堅持用線性擴流，關鍵點在于保證并聯(lián)器件的均流（見下節(jié)實現(xiàn)細節(jié)與參考）。網(wǎng)上以 78xx + 多個 PNP/PNP 功率管 并聯(lián)作法有示意，但都被用于較小電流擴展（幾十安培時也有示例，但配套散熱/均流/安全電路復雜）。
  
  

強烈建議先讀：并聯(lián)晶體管必須加小電阻在每個發(fā)射/源端以保證均流（沒有它一個管會搶流并過熱）。主流經(jīng)驗與討論都指出：發(fā)射（或源）旁路電阻、器件熱耦合與足夠的散熱是并聯(lián)成功的關鍵。

• 典型拓撲
  • 78xx（或 7809）驅(qū)動若干個大功率 PNP（或 P-Channel MOSFET）作為外部串聯(lián)“通流元件”。
  • 每個功率管的發(fā)射（或源）串上小電阻 Re（通常幾十到幾百毫歐，具體按預計電流算），用于均流與熱穩(wěn)定性。參考常見做法是給每管 0.05–0.1 Ω（視電流與允許壓降而定）。討論與論壇/教學資料多次提到 emitter/source 串阻能有效均流。
    
    
• 如何選 Re 的大致計算（示例思路）
  • 假設 5 個并聯(lián)管，共 20 A → 每管約 4 A。若你用 0.05 Ω，單管上電壓降 V=I×R=4×0.05=0.2V=I\times R=4 \times 0.05=0.2 V，功耗 P=I2R=0.8P=I^2 R = 0.8P=I2R=0.8 W/管（額外損耗），但這個電阻幫助限制差異產(chǎn)生的電流放大。
  • 但請注意：器件本身在串聯(lián)穩(wěn)壓中還要承受較高的 Vce（約 15V），每管還需承擔相應的熱功耗（高達幾十到百來瓦），因此單靠并聯(lián)并不能解決散熱問題。
    
    
• 并聯(lián)時的基礎規(guī)則
  • 給每管做 小值發(fā)射/源電阻（均流）。不要試圖只在基極并聯(lián)沒有限流的做法。
  • 采用 同一型號、同一批次器件并且在同一散熱片上安裝（熱耦合一致能幫助均流）。
  • 增加 電流/熱保護：每個器件獨立的溫度檢測或全局過流/過溫保護，避免失控熱失配導致連鎖故障。
  • 注意器件 Vbe / Id 特性差異，BJT 更容易熱失控 → MOSFET 在低 RdsOn 區(qū)更好，但做線性時也會發(fā)熱。論壇/資料建議優(yōu)先用 MOSFET 或成對的互補結(jié)構以降低 Vdrop。
    
    
• 關于射頻干擾（EMI）
  
  
  • 線性方案本身不會像開關電源那樣產(chǎn)生大量高頻開關噪聲，但“擴流管+長導線+快速負載變化”仍可能產(chǎn)生瞬態(tài)干擾。避免 RF 問題的做法：把輸出做好去耦（大電解 + 低 ESR 陶瓷），布局短回路，良好接地。若使用開關電源，必須做好輸入輸出 LC 濾波、共模扼流器和屏蔽。模擬廠商的 LDO/濾波應用文檔講了很多低噪聲設計技巧。