均流電路增加過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)，求助

ID:1073939 · 發(fā)表于 2025-8-23 16:59

上圖簡(jiǎn)化后的示意圖，想在此圖基礎(chǔ)上增加過流(15A)保護(hù)功能。IN電壓范圍6~66V，OUT電壓范圍為0~60V。ADJ調(diào)節(jié)R114壓降，控制mosfet開度。R110 R134為均流電阻，在7.5A時(shí)壓降為0.15V，要想使三極管動(dòng)作需要疊加0.45V。
下圖為過流保護(hù)示意圖，

這圖有個(gè)缺陷，執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作用了2個(gè)8550，按理應(yīng)只用1個(gè)。假如是多個(gè)均流，這缺陷就更明顯了。

設(shè)R134壓降為u0
保護(hù)管Vbe=Vbe=u0+(2.5-u0)*R2/(R1+R2)=u0+2.5*R2/(R1+R2)-u0*R2/(R1+R2)
暫時(shí)忽略u(píng)0*R2/(R1+R2)，應(yīng)能實(shí)現(xiàn)。

求助各位，幫我完善這設(shè)計(jì)，或有類似芯片更好。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-8-23 22:02

三極管改為431，三極管輸入阻抗低于431，且431高輸入阻抗則可并歸多路信號(hào)，很容易用簡(jiǎn)單電阻隔離。

ID:1073939 · 發(fā)表于 2025-8-25 09:14

三極管改為431的難點(diǎn)是如何把R134電壓轉(zhuǎn)換成以ADJ為基準(zhǔn)的信號(hào)。假如有類似7905現(xiàn)對(duì)于7805這類關(guān)系的431就好了。

ID:1073939 · 發(fā)表于 2025-8-25 15:46

xianfajushi 發(fā)表于 2025-8-23 22:02
三極管改為431，三極管輸入阻抗低于431，且431高輸入阻抗則可并歸多路信號(hào)，很容易用簡(jiǎn)單電阻隔離。

謝謝你的建議。我用pnp管模擬類似的電壓器件，應(yīng)該能達(dá)到要求。

通過可調(diào)電阻R2調(diào)節(jié)各支路過流保護(hù)值。過流執(zhí)行器件由q1 r2 r7構(gòu)成，各支路共用一套執(zhí)行器件。
我不會(huì)畫仿真圖，求哪位大神抽時(shí)間幫忙畫下。
想分析下：
vin和adj在變化時(shí)過流保護(hù)值是否一致。
IN-3V這個(gè)網(wǎng)絡(luò)時(shí)候可以接到gnd上，省去tl431這部分電路。
電路是否還有隱藏的bug。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-8-26 09:14

如果看431內(nèi)部電路圖，就知道如何變化極性，其內(nèi)部就是荔枝。

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-8-26 13:12

BJT Vbe有-2.2mV/K的溫度系數(shù)，電流越大越熱，Vbe越小，Ib越大，大電流的管子惡性循環(huán)就燒了。所以多管并聯(lián)必須給e極加小電阻墊高Vbe。

MOSFET的Rds是正溫度系數(shù)的，多管并聯(lián)電流會(huì)自動(dòng)平衡，你的第一圖就莫名其妙，后面引申出來的圖就沒有討論價(jià)值了。

ID:1073939 · 發(fā)表于 2025-8-27 09:13

rundstedt 發(fā)表于 2025-8-26 13:12
BJT Vbe有-2.2mV/K的溫度系數(shù)，電流越大越熱，Vbe越小，Ib越大，大電流的管子惡性循環(huán)就燒了。所以多管并聯(lián) ...

莫名其妙是不是你認(rèn)為只有bjt才需要均流電阻，mosfet不需要均流電阻？
我知道并認(rèn)可你提到的知識(shí)點(diǎn)，但實(shí)際工程中mosfet并聯(lián)普遍使用了均流電阻，這其中是否有你我所忽略的知識(shí)點(diǎn)。
mosfet要不要均流電阻，這個(gè)問題可以另外討論。
本帖討論的是利用現(xiàn)有的均流電阻增加硬件過流保護(hù)，彌補(bǔ)軟件保護(hù)速度慢的缺陷。

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