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三極管和pmos損壞

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樓主
想問(wèn)一下用三極管和pmos組合控制5v通斷，如果頻繁開關(guān)三極管和pmos管會(huì)容易損壞嗎

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沙發(fā)
ID:69038 發(fā)表于 2025-6-18 19:53 | 只看該作者
R56小了
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板凳
ID:879809 發(fā)表于 2025-6-18 20:00 | 只看該作者
那么CPU內(nèi)部MOS管每秒鐘通斷40億次，每年通斷多少次提問(wèn)者會(huì)算嗎？
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地板
ID:466250 發(fā)表于 2025-6-18 20:45 | 只看該作者
容性負(fù)載有一定風(fēng)險(xiǎn)。
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5#
ID:88256 發(fā)表于 2025-6-18 20:54 | 只看該作者

我對(duì)mos管不了解，只知道是電壓驅(qū)動(dòng)型的，好像很多電路連R56都不用，有用的也在100~200Ω之間，所以，能說(shuō)一下R56該如何取值嗎？
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6#
ID:879809 發(fā)表于 2025-6-18 21:17 | 只看該作者

MOSFET G極靜態(tài)電阻無(wú)窮大，R56多大是完全無(wú)所謂的，零都可以。如果從微功耗角度考慮，你還是關(guān)心一下R55的阻值吧。
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7#
ID:1154525 發(fā)表于 2025-6-18 21:22 | 只看該作者
重點(diǎn)在于降低開關(guān)損耗減小R56確保驅(qū)動(dòng)足夠調(diào)整R58
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8#
ID:1110477 發(fā)表于 2025-6-19 04:16 | 只看該作者
Q8是MOS管的體二極管？
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9#
ID:1133081 發(fā)表于 2025-6-19 06:38 | 只看該作者
樓主杞人憂天，此電路如果是單片機(jī)IO控制且VCC為5V，Q9也是多余的。
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10#
ID:654797 發(fā)表于 2025-6-19 06:47 | 只看該作者
不滿功率工作，一般不會(huì)壞，
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11#
ID:1154563 發(fā)表于 2025-6-19 08:31 | 只看該作者
一般不會(huì)壞的
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12#
ID:469589 發(fā)表于 2025-6-19 09:24 | 只看該作者
如果是連續(xù)的ms級(jí)甚至更快的連續(xù)開關(guān)，
則R55\R56都大了，特別是有點(diǎn)大的負(fù)載時(shí)，這會(huì)導(dǎo)致開關(guān)的前沿和后延不夠陡，最終MOS管發(fā)熱損壞，
我有過(guò)這樣的例子，是R55=10K引起的，改到4.7K以下就好很多，太小了三極管負(fù)擔(dān)重。
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13#
ID:1121801 發(fā)表于 2025-6-19 13:49 | 只看該作者
看你說(shuō)的頻繁開關(guān)到底有多頻繁,開關(guān)頻率是多少,選用的PMOS要與開關(guān)頻率匹配.一般開關(guān)頻率不高的不容易壞的,這種驅(qū)動(dòng)電路最好是用一個(gè)NMOS搭配一個(gè)PMOS控制,也就是把Q9換成NMOS,功耗降低了還更耐用
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14#
ID:584814 發(fā)表于 2025-6-19 14:23 | 只看該作者
開關(guān)電源中MOS管每秒開關(guān)從幾十次到幾十萬(wàn)次都有，不知道你對(duì)頻繁的定義是啥
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15#
ID:1004920 發(fā)表于 2025-6-19 16:20 | 只看該作者
R56改成10Ω以下，R55=500Ω~1K讓9013工作電流5~10mA。你現(xiàn)在的參數(shù)估計(jì)SI2309會(huì)發(fā)熱。給個(gè)10K的信號(hào)MOS和三極管都不會(huì)損壞。
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16#
ID:420836 發(fā)表于 2025-6-23 00:38 | 只看該作者
晶體管和PMOS并非機(jī)械開關(guān)。頻繁使用不會(huì)損壞它們，但它們工作的電氣條件會(huì)影響它們的壽命。
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17#
ID:56665 發(fā)表于 2025-6-23 09:00 | 只看該作者
rundstedt 發(fā)表于 2025-6-18 20:00
那么CPU內(nèi)部MOS管每秒鐘通斷40億次，每年通斷多少次提問(wèn)者會(huì)算嗎？

365*24*60*60*24*10*10^8次
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18#
ID:146782 發(fā)表于 2025-6-29 22:07 | 只看該作者
如果是5V控制信號(hào)，Q9不需要，
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