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ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE

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ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE
型號(hào)：ASE4N65SE
品牌：ASEMI
封裝：TO-220F
最大漏源電流：4A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：2.5Ω
引腳數(shù)量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復(fù)時(shí)間：5ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫：-55℃~150℃
ASE4N65SE場(chǎng)效應(yīng)管
ASE4N65SE的電性參數(shù)：最大漏源電流4A；漏源擊穿電壓650V
特征：
低固有電容。
出色的開(kāi)關(guān)特性。
擴(kuò)展安全操作區(qū)域。
無(wú)與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=4A
RDS（開(kāi)）:2.5? （最大值）@VG=10V


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