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7N60-ASEMI高壓MOS管7N60

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編輯:ll
7N60-ASEMI高壓MOS7N60
型號:7N60
品牌:ASEMI
封裝:TO-220AB
最大漏源電流:7A
漏源擊穿電壓:600V
RDSONMax1.2Ω
引腳數(shù)量:3
溝道類型:N溝道MOS
芯片尺寸:MIL
漏電流:
恢復(fù)時間:5ns
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:高壓MOS
工作結(jié)溫-55℃~150℃
7N60場效應(yīng)管
7N60的電性參數(shù):最大漏源電流7A;漏源擊穿電壓600V


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