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MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基

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MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基
型號(hào):MBR10100DC
品牌:ASEMI
封裝:TO-263
正向電流:10A
反向耐壓:100V
浪涌電流:150A
引腳數(shù)量:3
芯片個(gè)數(shù):2
芯片尺寸:86MIL
漏電流:10uA
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:低壓降肖特基二極管
工作溫度:-55℃~+150℃
肖特基二極管概念
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。


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