|
|
編輯：ll
MBR60100PT-ASEMI大電流肖特基MBR60100PT
型號(hào)：MBR60100PT
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
電性參數(shù)60A 100V
正向電流：60A
反向耐壓：100V
引腳數(shù)量：3
芯片個(gè)數(shù)：2
芯片尺寸：150MIL
封裝尺寸：如圖
特性：大電流、肖特基
浪涌電流：500A
工作溫度：-65~+175℃
肖特基原理：
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。
MBR60100PT-ASEMI.jpg (31.19 KB, 下載次數(shù): 26)
下載附件
2021-11-5 10:46 上傳
MBR60100PT-ASEMI-1.jpg (85.73 KB, 下載次數(shù): 29)
下載附件
2021-11-5 10:46 上傳
MBR60100PT-ASEMI-2.jpg (32.07 KB, 下載次數(shù): 34)
下載附件
2021-11-5 10:46 上傳
ASEMI全系列封裝圖
0.1.png (278.44 KB, 下載次數(shù): 40)
下載附件
2021-11-5 10:46 上傳
|
|
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
淘帖
頂
踩
