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CS5266E是一款采用CMOS工藝，電容式升壓型GF類單聲道音頻功放，可以為4Ω的負載提供最高5.2W的連續(xù)功率;CS5266E芯片內(nèi)部固定的28倍增益，有效的減少了外圍元器件的數(shù)量，外圍全貼片阻容器件應(yīng)用可以盡量減少外圍占板面積，并降低手工插件帶來的成本上升;功放集成了D類和AB類兩種工作模式即可保證D類模式下強勁的功率輸出，又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下，消除功放對系統(tǒng)的干擾;CS5266E具有獨特的防破音（NCN）功能，可根據(jù)輸出信號的大小自動調(diào)整功放的增益，實現(xiàn)更加舒適的聽覺感受.
CS5266E的外圍可應(yīng)用低成本全貼片的阻容器件，在以鋰電池供電的移動式音頻設(shè)備中，CS5266E是理想的音頻子系統(tǒng)的功放解決方案.CS5266E的全差分架構(gòu)和極高的 PSRR有效地提高了CS5266E對RF噪聲的抑制能力。另外CS5266E內(nèi)置了過流保護和過熱保護，有效的保護芯片在異常的工作條件下不被損壞。
CS5266E提供了ESOP10的封裝類型，其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
集成Charge Pump升壓模塊，集成AB類D類兩種工作模式 GF類音頻功放，輸入電壓范圍∶2.7~5.5V關(guān)斷電流∶ <1μA待機電流∶ 20mA@5V， D類調(diào)制頻率∶ 350KHz，防破音模式開關(guān)，AERC專利技術(shù)，提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力，優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"（pop-noise）雜音抑制能力，高的電源抑制比（PSRR）∶在217Hz下為-80dB，過溫保護，過壓保護
作者：ledsuperb
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