如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的話，那根據哪個參數去衡量MOS管的性能...

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發布時間: 2025-11-15 15:43

如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的話，那根據哪個參數去衡量MOS管的性能更好還是更壞呢？

回復

ID:879809 發表于 2025-12-29 15:23

fishafish 發表于 2025-12-29 14:59
當然是上升時間和下降時間，小的佳

你找個有上升時間和下降時間的MOSFET datasheet出來讓我也樂一樂。

ID:1059013 發表于 2025-12-29 14:59

當然是上升時間和下降時間，小的佳

ID:1034262 發表于 2025-11-18 18:06

速度、柵極充放電電量。

ID:883242 發表于 2025-11-18 05:27

lei848200 發表于 2025-11-15 18:00
mos管還有開關頻率，需要高速開關的情況下需要看。

沒有這個參數，請勿誤導他人。

ID:668004 發表于 2025-11-17 18:28

lei848200 發表于 2025-11-15 18:00
mos管還有開關頻率，需要高速開關的情況下需要看。

哪個參數書開關頻率啊

ID:1163202 發表于 2025-11-17 18:03

結電容

ID:1041695 發表于 2025-11-15 18:00

mos管還有開關頻率，需要高速開關的情況下需要看。

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