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單片機(jī)產(chǎn)生PWM波后 升壓？？

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發(fā)布時(shí)間: 2013-12-22 20:39

正文摘要:

如圖所示：因?yàn)閱纹瑱C(jī)產(chǎn)生的PWM波電壓太低，難以驅(qū)動半導(dǎo)體制冷片（額定電壓12v，4A），所以設(shè)計(jì)以下電路，為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v  。 問題1：單片機(jī)產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要 ...

回復(fù)

ID:120554 發(fā)表于 2016-5-13 16:06
mos管托托的
ID:120521 發(fā)表于 2016-5-13 13:05
MOS管即可
ID:120465 發(fā)表于 2016-5-13 08:47
個(gè)人認(rèn)為開關(guān)管使用MOS管比較合適
ID:118284 發(fā)表于 2016-5-13 08:35
加一個(gè)NPN三極管就可以
ID:59048 發(fā)表于 2014-2-9 11:40
1.可以直接接MOS管，其實(shí)光耦不僅是起到隔離作用，還有就是后面的控制部分，比如電壓可以接的高些（12V或者更高些）。2.當(dāng)然是MOS管速度快了。可控硅導(dǎo)通容易，但是不能自行關(guān)斷；IGBT常用于大功率設(shè)備，需要專門的驅(qū)動，所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。
ID:58634 發(fā)表于 2014-1-10 18:28
個(gè)人認(rèn)為單片機(jī)產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管，如果怕影響到單片機(jī)的穩(wěn)定就加光電耦合器。 開關(guān)管用MOS管或IGBT都行，看工作頻率和負(fù)載是什么。只是個(gè)人理解。

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