188610329 發(fā)表于 2024-6-22 20:13
據說，STM是非常高級的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發(fā)了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完 ...

我不太明白，擦除Flash的時候，CPU還能干別的事嗎？不是要等擦除完成嗎？難道擦除Flash的時候還能像DMA一樣操作？如果能這樣，那就好辦了

我理解你的問題是，需要不斷讀取Flash，但擦除時會停止取指操作，MCU就像是卡了，但你給的手冊 P33 的 Figure 4. STM32H743xI/G bus matrix ，看圖它分為flash A 和flash B，我理解如果讀取FLASHA時，可以對FLASHB進行擦除操作，在擦除的幾秒時間內，SysTick_Handler()中斷服務函數，uwTick記數器變化應該正常的。我的建議你應該理解吧？

lkc8210 發(fā)表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

這個不是H7xx的芯片吧

188610329 發(fā)表于 2024-6-22 20:13
據說，STM是非常高級的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發(fā)了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完 ...

STM32H743雙bank把他分分應該不影響程序跑起來。

據說，STM是非常高級的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發(fā)了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完成了才能獲得時鐘權限么？不能先干別的事？

yzwzfyz 發(fā)表于 2024-6-22 00:11
擦128K是秒級，擦一頁不需要這么多時間。

這顆MCU沒有頁而概念，只有扇區(qū)，一個扇區(qū)是128K，所以只能按照128K扇區(qū)擦除

擦128K是秒級，擦一頁不需要這么多時間。

可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

可以在程序初始化的時候擦除，就不會影響后面的實時性，當然啟動時間也有要求的話，就沒辦法了

npn 發(fā)表于 2024-6-21 06:25
看你程序使用了多少字節(jié)EEPROM，使用數據磨損均勻算法寫滿再擦。

這個我知道，其實我問的是擦除時間長影響實時性的問題

qq475878026 發(fā)表于 2024-6-20 20:38
要擦128K這么多？單位是不是有問題

ST的高端MCU，STM32H743， 2M Flash, 最小擦除粒度確實是128K。

看你程序使用了多少字節(jié)EEPROM，使用數據磨損均勻算法寫滿再擦。

xiaobendan001 發(fā)表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒？STM32不會用，STC也不用2秒吧

STC8系列EEPROM扇區(qū)擦除幾個ms。

要擦128K這么多？單位是不是有問題

懷疑讀書不準確，當為ms級。將你讀的書貼出來看看。

xiaobendan001 發(fā)表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒？STM32不會用，STC也不用2秒吧

秒，確實是1~2s, 規(guī)格書上寫的，很奇怪很多用大容量的Flash都是怎么用的？

秒還是毫秒？STM32不會用，STC也不用2秒吧