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PL60N02D TO-252-3 20VN通道增強模式MOSFET

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發布時間: 2022-10-31 15:25

正文摘要:

概述 PL60N02D采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設備適用于用作電池保護或其他開關應用程序。一般特征 VDS = 20V ID =60A RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V ...

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