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發布時間: 2020-11-23 11:56
正文摘要:MOS降低發熱功耗 除了并聯 還有其他的方法不?電流是不能變的。并聯雖然內阻可以減小,不過好像會影響同步的開關速度。不同步開關的話MOS可能就燒了 |
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并聯管子, 主要還是單個管子的允許功耗是有限的, 多個管子的散熱的成本要低于單個管子(總功耗相同的情況下) 單個管子熱量如果傳導出去,溫升會超標.每個封裝,它的導熱系數,導熱面積是有限的. D2-PAD封裝, 熱阻大概是40~60度/W. 如果功耗是2W, 單個管子就超標了,2個管子,每個管子功耗就是原來的一半.溫升就在使用范圍內. 有條件,選擇TO-220類的封裝,容易另加散熱片,減小熱阻.當然要看產品允許空間. 降低功耗, 如改變開關頻率, 改善開關管開關速度, 實際大部分成熟的電路,改善余度有限. 這也就是實際使用中,普遍使用管子子并聯. |
| 選擇具有更高電流額定值和更低導電Rds的MOSFET。 |
| 只能改善驅動和散熱,這個內阻已經很低了 |
| 實現ZVS 零電壓關斷,是可以減少功耗的 |
| 并聯同時要增加驅動芯片 |
| 加散熱器 |
| 試試可不可以搞成同步整流之類的,可以減小損耗,不過導通損耗不會減少 |
張天師 發表于 2020-11-23 20:14 開關頻率增加才對,用16KHz , 調節占空比控制電流,占空比不能超過80% |
| 提升驅動電壓和電流,開關頻率盡可能降到能接受的范圍 |
| zvs,zcs 電源可以,電機驅動不了解 |
hcfat51h 發表于 2020-11-23 16:42 如何實現 |
| 減少開關損耗 |
| 增加開關速度可以減少開關損耗 |
| 還有零電壓關斷或零電流關斷 |