MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比具有相對優(yōu)勢

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英尚微電子

發(fā)布時間: 2020-9-16 14:05

正文摘要:

MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案，因為它以SRAM的速度寫入數(shù)據(jù)，同時 ...

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ID:273087 發(fā)表于 2020-9-16 14:06

基于MRAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案，因為它以SRAM的速度寫入數(shù)據(jù)，同時在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)

ID:273087 發(fā)表于 2020-9-16 14:06

MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。

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