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非易失性存儲(chǔ)器MRAM與FRAM的比較

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英尚微電子

發(fā)布時(shí)間: 2020-8-18 14:20

正文摘要:

“永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和FRAM（鐵電RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們以不同的方式實(shí)現(xiàn)這些 ...

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