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標題: MSP430F149的內部Flash結構及讀寫程序 [打印本頁]

作者: 51黑黑黑 時間: 2016-2-13 00:51
標題: MSP430F149的內部Flash結構及讀寫程序

MSP430F149內部的memory結構，60K Flash+2KRAM。Flash分為主存儲區和信息存儲區，操作都一樣，只是主存儲區每個段512字節，而信息存儲區為128字節，方便擦寫。

當我們有數據要保存到Flash存儲器時，要先對目標段進行整段擦除操作，擦除操作使的對應段FLASH存儲器變成全“1”。應當注意的是，此flash的操作頻率為257kHz 到 476kHz，時鐘源可選擇，因此我們做時鐘分頻時應當保證頻率在這之間，以下為我編寫的參考程序。
void Flash_erase(uint addr)
{//段擦除,512bytes一段
  uchar s;
  s=__get_interrupt_state();//保存當前中斷狀態
  __disable_interrupt();
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY;
  FCTL1=FWKEY+ERASE;
  *(uchar*)addr=0;
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY+LOCK;
  __set_interrupt_state(s);//恢復中斷狀態
}

void Flash_write(uint addr,uchar dat)
{//單字節寫入
  uchar s;
  s=__get_interrupt_state();
  __disable_interrupt();
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY;
  FCTL1=FWKEY+WRT;
  *(uchar*)addr=dat;
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL1=FWKEY;
  FCTL3=FWKEY+LOCK;
  __set_interrupt_state(s);
}

void Flash_read(uint addr,uint len)
{//讀取到數組，此處堆棧應改大
  uint i;
  for(i=0;i<len;i++)
*(R+i)=*(uchar*)(addr+i);
}

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