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標題: MOS管驅動芯片IR2110資料 [打印本頁]

作者: 51黑黑黑 時間: 2016-2-13 00:27
標題: MOS管驅動芯片IR2110資料
IR2110采用CMOS工藝制作，邏輯電源電壓范圍為5V～20V，適應TTL 或CMOS邏輯信號輸入，具有獨立的高端和低端2個輸出通道。由于邏輯信號均通過電平耦合電路連接到各自的通道上，容許邏輯電路參考地(VSS)與功率電路參考地(COM)之間有-5V和+5V的偏移量，并且能屏蔽小于50ns的脈沖這樣有較理想的抗噪聲效果。采用CMOS施密特觸發輸入，以提高電路抗干擾能力。采用DIP14封裝形式，芯片引腳輸出如圖所示。

引腳1和7是兩路獨立的輸出，分別是LO(低端輸出)和HO(高端輸出)，引腳3和6分別是VCC(低端電源電壓)和VB(高端浮置電源電壓)，引腳9(VDD)是邏輯電路電源電壓，引腳2(COM)是低端電源公共端，引腳5和13分別是vs(高端浮置電源公共端)和vss(邏輯電路接地端)，引腳10(HIN)是邏輯輸入控制端，引腳11(SD)是輸入關閉端，引腳12(LIN)是低端邏輯輸入。

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