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標(biāo)題: 晶振串聯(lián)電阻與并聯(lián)電阻有什么作用 [打印本頁]

作者: 揚(yáng)興晶振HXR 時(shí)間: 2015-11-25 18:14
標(biāo)題: 晶振串聯(lián)電阻與并聯(lián)電阻有什么作用
一份電路在其輸出端串接了一個(gè)22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個(gè)10M的電阻。揚(yáng)興科技介紹這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個(gè)線性運(yùn)算放大器，將輸入進(jìn)行反向180度輸出，晶振處的負(fù)載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另外180度的相移，整個(gè)環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時(shí)還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。

　　和晶振串聯(lián)的電阻常用來預(yù)防晶振被過分驅(qū)動(dòng)。晶振過分驅(qū)動(dòng)的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導(dǎo)致晶振的早期失效，又可以講drive level調(diào)整用。用來調(diào)整drive level和發(fā)振余裕度。晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級(jí)，輸出端的電阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流的作用，防止反向器輸出對(duì)晶振過驅(qū)動(dòng)，損壞晶振。

　　Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個(gè)施密特反相器,反相器是不能驅(qū)動(dòng)晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)電阻,由電阻完成將輸出的信號(hào)反向。

　　電阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個(gè)反饋回路，形成放大器，當(dāng)晶體并在其中會(huì)使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會(huì)影響輸出頻率。過去，曾經(jīng)試驗(yàn)此電路的穩(wěn)定性時(shí)，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會(huì)影響脈寬比的。

　　晶體的Q值非常高，Q值是什么意思呢?
　　晶體的串聯(lián)等效阻抗是Ze = Re + jXe，Re<< |jXe|，晶體一般等效于一個(gè)Q很高很高的電感，相當(dāng)于電感的導(dǎo)線電阻很小很小。Q一般達(dá)到10^-4量級(jí)。避免信號(hào)太強(qiáng)打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。串進(jìn)去的電阻是用來限制振蕩幅度的，并進(jìn)去的兩顆電容根據(jù)LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~30P左右，主要用與微調(diào)頻率和波形，并影響幅度，并進(jìn)去的電阻就要看IC spec了，有的是用來反饋的，有的是為過EMI的對(duì)策可是轉(zhuǎn)化為并聯(lián)等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，這是有現(xiàn)成的公式的。晶體的等效Rp很大很大。外面并的電阻是并到這個(gè)Rp上的，于是，降低了Rp值----->增大了Re ----->
　　降低了Q 精確的分析還可以知道，對(duì)頻率也會(huì)有很小很小的影響。

作者: ldd08040110 時(shí)間: 2015-12-21 10:04
好資料，不過還是不太明白。

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