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標題: STM32 接外部 SRAM 詳解 [打印本頁]
作者: geige    時間: 2015-7-26 01:55
標題: STM32 接外部 SRAM 詳解
        STM32F103ZET6 自帶了 64K 字節的 SRAM，對一般應用來說，已經足夠了，不過在一些對內存要求高的場合，STM32 自帶的這些內存就不夠用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太夠用
        IS62WV51216 簡介
        IS62WV51216 是 ISSI（Integrated  Silicon  Solution,  Inc）公司生產的一顆 16 位寬 512K（512*16，即 1M 字節）容量的 CMOS 靜態內存芯片。該芯片具有如下幾個特點：
        l 高速。具有 45ns/55ns 訪問速度。
        l 低功耗。
        l TTL 電平兼容。
        l 全靜態操作。不需要刷新和時鐘電路。
        l 三態輸出。
        l 字節控制功能。支持高/低字節控制。
        看看實現 IS62WV51216 的訪問，需要對 FSMC進行哪些配置。 這里就做一個概括性的講解。步驟如下：
        1）使能 FSMC 時鐘，并配置 FSMC 相關的 IO 及其時鐘使能。
        要使用 FSMC，當然首先得開啟其時鐘。然后需要把 FSMC_D0~15，FSMCA0~18 等相關IO 口，全部配置為復用輸出，并使能各 IO 組的時鐘。
        使能 FSMC 時鐘的方法：
        RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
        對于其他 IO 口設置的方法前面講解很詳細，這里不做過多的講解。
        2）設置 FSMC BANK1 區域 3。
        此部分包括設置區域 3 的存儲器的工作模式、位寬和讀寫時序等。我們使用模式 A、16 位寬，讀寫共用一個時序寄存器。使用的函數是：
        void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
        3）使能 BANK1 區域 3。
        使能 BANK 的方法跟前面 LCD 實驗也是一樣的，這里也不做詳細講解，函數是：
        void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；
        通過以上幾個步驟，我們就完成了 FSMC 的配置，可以訪問 IS62WV51216 了，這里還需要注意，因為我們使用的是 BANK1 的區域 3，所以 HADDR[27:26]=10，故外部內存的首地址為 0X68000000。


  3.     //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
  4.     //對IS61LV25616/IS62WV25616,地址線范圍為A0~A17
  5.     //對IS61LV51216/IS62WV51216,地址線范圍為A0~A18
  6.     #define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))        
  7.                               
  8.     //初始化外部SRAM
  9.     void FSMC_SRAM_Init(void)
  10.     {   
  11.         FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
  12.         FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
  13.         GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
  14.      
  15.          RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
  16.           RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
  17.       
  18.         GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;                  //PORTD復用推挽輸出
  19.          GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;          //復用推挽輸出
  20.          GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
  21.          GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

  23.      
  24.         GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;                  //PORTE復用推挽輸出
  25.          GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  27.          GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;                  //PORTD復用推挽輸出
  28.          GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

  30.         GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;                  //PORTD復用推挽輸出
  31.          GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
  32.      
  33.                           
  34.          readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;     //地址建立時間（ADDSET）為1個HCLK 1/36M=27ns
  35.         readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;     //地址保持時間（ADDHLD）模式A未用到   
  36.         readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;         //數據保持時間（DATAST）為3個HCLK 4/72M=55ns(對EM的SRAM芯片)   
  37.         readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
  38.         readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
  39.         readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
  40.         readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;     //模式A
  41.         

  43.      
  44.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 這里我們使用NE3 ，也就對應BTCR[4],[5]。
  45.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
  46.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
  47.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存儲器數據寬度為16bit
  48.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  49.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  50.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  51.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
  52.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  53.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;    //存儲器寫使能
  54.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
  55.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 讀寫使用相同的時序
  56.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
  57.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
  58.         FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //讀寫同樣時序

  60.         FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置

  62.            FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3                                       
  63.                                                 
  64.     }
  65.                                                                  
  66.     //在指定地址開始,連續寫入n個字節.
  67.     //pBuffer:字節指針
  68.     //WriteAddr:要寫入的地址
  69.     //n:要寫入的字節數
  70.     void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
  71.     {
  72.         for(;n!=0;n--)
  73.         {                                       
  74.             *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   
  75.             WriteAddr+=2;//這里需要加2，是因為STM32的FSMC地址右移一位對其.加2相當于加1.
  76.             pBuffer++;
  77.         }
  78.     }                                                                           
  79.     //在指定地址開始,連續讀出n個字節.
  80.     //pBuffer:字節指針
  81.     //ReadAddr:要讀出的起始地址
  82.     //n:要寫入的字節數
  83.     void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
  84.     {
  85.         for(;n!=0;n--)
  86.         {                                            
  87.             *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
  88.             ReadAddr+=2;//這里需要加2，是因為STM32的FSMC地址右移一位對其.加2相當于加1.
  89.         }
  90.     }
  91.     ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
  92.     //測試函數
  93.     //在指定地址寫入1個字節
  94.     //addr:地址
  95.     //data:要寫入的數據
  96.     void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr)
  97.     {            
  98.         FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//寫入1個字節
  99.     }
  100.     //讀取1個字節
  101.     //addr:要讀取的地址
  102.     //返回值:讀取到的數據
  103.     u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
  104.     {
  105.         u8 data;
  106.         FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
  107.         return data;
  108.     }
復制代碼



作者: psram    時間: 2016-11-24 14:19
我司代理韓國FIDELIX & JSC品牌psram, sram產品。與ISSI品牌同規格產品pin to pin兼容, 性價比高，可以常年穩定供貨。已在STM32系列多項平臺批量出貨中 QQ:1140784820，
作者: SQPI_PSRAM    時間: 2016-12-5 17:21
本帖最后由 SQPI_PSRAM 于 2016-12-7 10:13 編輯

外接SRAM內存擴展方案, PSRAM是其中的一種，它分并行PSRAM和串行PSRAM，而串行PSRAM是一種新的、面向小型化應用的解決方案

大部分MCU的片上SRAM資源都非常有限，只有幾十KB，有256KB的已經非常奢侈。SRAM由于速度比NAND或NOR 閃存的速度快很多，也不存在讀寫壽命限制問題，因此作為高速數據存儲無可取代。

然而，由于MCU的管腳數量有限，一個并行接口的SRAM、或SDRAM卻需要3~40個封裝管腳，所以很多MCU并不具備外擴SRAM的能力。
串行SRAM是一種解決方案，然而，SRAM比較貴，串行SRAM更加昂貴。

這里介紹一種PSRAM，只要有SPI接口或者QPI接口，就可以實現SRAM的擴展。PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協議（無需刷新，無需DRAM控制器）、具有DRAM單管存儲結構的存儲器，比SRAM容量大很多，價格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。因此，已經得到越來越多的MCU及WiFi-SoC相關廠家的支持。

一個8腳SOP-8封裝的SPI/QPI PSRAM，可以提供4MB容量，高達50MB/s的帶寬。只要由SPI或QPI接口，就可以使用。而一個13腳的OPI PSRAM，可以提供400MB/s或者3.2Gbps的數據吞吐速率。

目前，主要應用為2G BB的SIP (MTK, SPRD, RDA)、智能語音交互、可穿戴設備的GUI動畫顯示存儲、圖片數據緩存等應用。我們的串行PSRAM容量從2MB到8MB，并行PSRAM，容量從4MB到16MB，是MTK、RDA、展訊(SPRD)的主力供應商

歡迎交流 SQPI_PSRAM@163.com
作者: JAMESKING    時間: 2019-5-6 20:49
VTI7064能否放一個51的例程？謝謝
作者: 英尚微電子    時間: 2019-5-28 11:57
JAMESKING 發表于 2019-5-6 20:49
VTI7064能否放一個51的例程？謝謝

可以加我~Q 3161422826 我發給你
作者: 電子小萌    時間: 2020-4-14 11:24
感謝樓主分享
作者: harywang    時間: 2020-4-23 14:37
現在SRAM價格多少
作者: luy3728000    時間: 2020-4-27 11:32
英尚微電子 發表于 2019-5-28 11:57
可以加我~Q 3161422826 我發給你

芯片手冊下不了喲，把stm32的驅動代碼也發我一份吧



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