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標題: 如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的話，那根據哪個參數去衡量MOS管的性能... [打印本頁]

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-15 15:43
標題: 如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的話，那根據哪個參數去衡量MOS管的性能...
如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的話，那根據哪個參數去衡量MOS管的性能更好還是更壞呢？

如果MOS管.png (203.23 KB, 下載次數: 0)

作者: lei848200 時間: 2025-11-15 18:00
mos管還有開關頻率，需要高速開關的情況下需要看。

作者: 1143122 時間: 2025-11-17 18:03
結電容

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-17 18:28

lei848200 發表于 2025-11-15 18:00
mos管還有開關頻率，需要高速開關的情況下需要看。

哪個參數書開關頻率啊

作者: Hephaestus 時間: 2025-11-18 05:27

lei848200 發表于 2025-11-15 18:00
mos管還有開關頻率，需要高速開關的情況下需要看。

沒有這個參數，請勿誤導他人。

作者: coody_sz 時間: 2025-11-18 18:06
速度、柵極充放電電量。

作者: fishafish 時間: 2025-12-29 14:59
當然是上升時間和下降時間，小的佳

作者: rundstedt 時間: 2025-12-29 15:23

fishafish 發表于 2025-12-29 14:59
當然是上升時間和下降時間，小的佳

你找個有上升時間和下降時間的MOSFET datasheet出來讓我也樂一樂。

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