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標題: 利用MOS內阻作為電流采樣電阻的過流點計算，計算方法錯在哪里？ [打印本頁]

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-4 11:33
標題: 利用MOS內阻作為電流采樣電阻的過流點計算，計算方法錯在哪里？
利用MOS內阻作為電流采樣電阻的過流點計算，計算方法錯在哪里？

利用MOS內阻作為電流采樣電阻的過流點計算.png (189.34 KB, 下載次數: 0)

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-4 11:33
（VAMP=5V）

作者: 水手辛伯達 時間: 2025-11-4 14:21
什么叫做錯在哪里，已經驗證過了話就把實際輸入輸出結果說一下，還有就是你這運放前一個是放大作用后一個是比較作用，5/3.2這式子列不出來的。MOS的內阻不是恒定的，受節溫度和漏極電流大小影響的

作者: zhuls 時間: 2025-11-4 14:35
半導體有一個特性就是非線性，你拿它來當采樣電阻，能準嗎？

作者: WL0123 時間: 2025-11-4 16:03
你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性，其導通內阻不是恒定值，在不同VGS、結溫和DS電流時內阻都不同。何況其內阻變化雖然是毫歐級，但比值確很大，基本不可能精確計算出不同工況下過流點。用作短路保護作粗略取樣也許能行。

作者: npn 時間: 2025-11-5 07:33
MOS管溫度越高內阻越大，誤差可能會超過20%

作者: csmjmcc 時間: 2025-11-5 11:09
個人看法：從圖看，該是比較器，前級放大再后級比較。其用意是過流監測吧？電流超過一定值，比較器翻轉給MCU。

作者: lwylwy1 時間: 2025-11-5 11:26
MOS管的內阻在固定的溫度下通過固定電流是固定的，要單片機做一個表格溫補查表。

作者: wufa1986 時間: 2025-11-5 11:56
運放電容不要亂加，C3C2都是是錯誤的

作者: wjhhhhh 時間: 2025-11-5 13:01

WL0123 發表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性，其導通內阻不是恒定值，在不同VGS、結溫 ...

確實新穎如果從手冊上查到這些參數或者上電逐個實測不同工況點下各項參數能不能實現呢？

作者: ZSJM 時間: 2025-11-5 15:33
實際使用是有類似的電路, 因為對限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護芯片就是這樣的.不用精確查表.

U4A放大取樣電壓(你這個電路放大倍數有點小). 然后與VREF比較大小, 結果輸出高/低電平給MCU.

作者: WL0123 時間: 2025-11-5 15:48

wjhhhhh 發表于 2025-11-5 13:01
確實新穎如果從手冊上查到這些參數或者上電逐個實測不同工況點下各項參數能不能實現呢？

上電逐個實測不同工況點下各項參數編制數據表，編程控制能實現目的，但要求MOS內阻特性一致性好，否則不適合量產。另外還要考慮相關電路與傳統取樣電阻方式有無成本優勢。

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:55

發表于 2025-11-4 14:21
什么叫做錯在哪里，已經驗證過了話就把實際輸入輸出結果說一下，還有就是你這運放前一個是放大作用后一個是 ...

好的謝謝

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:55

zhuls 發表于 2025-11-4 14:35
半導體有一個特性就是非線性，你拿它來當采樣電阻，能準嗎？

很多電池保護板都是那樣做的還可以防反接呢

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:56

WL0123 發表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性，其導通內阻不是恒定值，在不同VGS、結溫 ...

短路保護可以的

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:56

npn 發表于 2025-11-5 07:33
MOS管溫度越高內阻越大，誤差可能會超過20%

那這么說的話就是計算出來的過流點誤差很大了

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:56

發表于 2025-11-5 11:09
個人看法：從圖看，該是比較器，前級放大再后級比較。其用意是過流監測吧？電流超過一定值，比較器翻轉給MC ...

是的我的理解也是那樣的

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:57

wufa1986 發表于 2025-11-5 11:56
運放電容不要亂加，C3C2都是是錯誤的

是不是輸出接一個電阻再接電容

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:57

ZSJM 發表于 2025-11-5 15:33
實際使用是有類似的電路, 因為對限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護芯片就是這樣的.不用精 ...

放大倍數那么小我也不知道什么原因

作者: QWE4562012 時間: 2025-11-11 18:57

WL0123 發表于 2025-11-5 15:48
上電逐個實測不同工況點下各項參數編制數據表，編程控制能實現目的，但要求MOS內阻特性一致性好，否則不 ...

是的

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