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標(biāo)題: 單片機(jī)驅(qū)動(dòng)能力不足導(dǎo)致無法直驅(qū)MOSFET [打印本頁]

作者: xxxhd 時(shí)間: 2024-7-26 17:36
標(biāo)題: 單片機(jī)驅(qū)動(dòng)能力不足導(dǎo)致無法直驅(qū)MOSFET
如圖，Vgs(th)最大2.5v，而單片機(jī)是3.3v的，關(guān)鍵是霧化片是2.4M的霧化片。現(xiàn)在直驅(qū)無法驅(qū)動(dòng)，波形失真，這么高的速率a點(diǎn)峰值不到3v，且失真嚴(yán)重。我本來想用推挽驅(qū)動(dòng)試一下，但是NP方式總會(huì)有一個(gè)壓降，而b點(diǎn)在運(yùn)行時(shí)電壓會(huì)態(tài)高，導(dǎo)致可能會(huì)導(dǎo)致低于Vgs(th)無法打開。各位大佬有什么辦法嗎？

PS：成本感人，盡量低成本不換MCU

霧化片驅(qū)動(dòng)電路.jpg (132.63 KB, 下載次數(shù): 18)

電路圖

作者: donglw 時(shí)間: 2024-7-27 02:12
MOSFET選用AM2326N的Vgs(th)=0.9V，請(qǐng)?jiān)斠娢业奶樱?br /> http://www.denmoz.com/bbs/dpj-236102-1.html

作者: devcang 時(shí)間: 2024-7-27 11:30
io強(qiáng)推挽，應(yīng)該能改善一些

作者: npn 時(shí)間: 2024-7-27 12:26

devcang 發(fā)表于 2024-7-27 11:30
io強(qiáng)推挽，應(yīng)該能改善一些

我不確定樓主什么單片機(jī)，并不是所有型號(hào)都有強(qiáng)推挽功能。

作者: 藍(lán)藍(lán)小星星 時(shí)間: 2024-7-27 12:27

donglw 發(fā)表于 2024-7-27 02:12
MOSFET選用AM2326N的Vgs(th)=0.9V，請(qǐng)?jiān)斠娢业奶樱?br /> http://www.denmoz.com/bbs/dpj-236102-1.html

這是20v耐壓的管子，15N10可是100V耐壓的。

作者: donglw 時(shí)間: 2024-7-27 13:05

藍(lán)藍(lán)小星星發(fā)表于 2024-7-27 12:27
這是20v耐壓的管子，15N10可是100V耐壓的。

再串個(gè)滿足電壓、電流要求的三極管即可。

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2024-7-27 22:02
1,單片機(jī)先改成強(qiáng)推挽模式試一下,如果單片機(jī)沒有強(qiáng)推挽模式,可以加一個(gè)SN74LVC1G17之類緩沖器試一下
2,或者不要接Q2,用示波器先看一下單片機(jī)輸出的波形行還是不行,有的單片機(jī)輸出1MHZ以上頻率的PWM,出來的波形都有點(diǎn)像正弦波了,MOS管在這個(gè)頻率下,它就不是一個(gè)電壓驅(qū)動(dòng)型的元件了,它就是電流型的,是要有一定驅(qū)動(dòng)電流的了

作者: STM32AA 時(shí)間: 2024-8-1 21:45
推挽輸出不應(yīng)該驅(qū)動(dòng)不足。

作者: rayin 時(shí)間: 2024-8-12 08:10
單片機(jī)IO口的電平輸出只有0-3.3-5V, 驅(qū)動(dòng)MOS管電壓范圍不夠, 可以增加三極管擴(kuò)展輸出電壓范圍來驅(qū)動(dòng)MOS管.

作者: univers 時(shí)間: 2024-8-22 15:29
不建意這樣用MCU推，第一力不夠。第二很容易把MCU燒壞。一般都是加一個(gè)緩沖輸出。這種芯片網(wǎng)上大把。

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