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標題: ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE [打印本頁]

作者: 強元芯電子    時間: 2023-2-18 11:01
標題: ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE
編輯:ll
ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE
型號:ASE4N65SE
品牌:ASEMI
封裝:TO-220F
最大漏源電流:4A
漏源擊穿電壓:650V
RDS(ON)Max:2.5Ω
引腳數量:3
溝道類型:N溝道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏電流:
恢復時間:5ns
芯片材質:
封裝尺寸:如圖
特性:高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結溫:-55℃~150℃
ASE4N65SE場效應管
ASE4N65SE的電性參數:最大漏源電流4A;漏源擊穿電壓650V
特征:
低固有電容。
出色的開關特性。
擴展安全操作區域。
無與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=650V,Id=4A
RDS(開):2.5? (最大值)@VG=10V







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