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標題: MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基 [打印本頁]

作者: 強元芯電子 時間: 2022-3-11 10:04
標題: MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基

編輯：ll

MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基

型號：MBR10100DC

品牌：ASEMI

封裝：TO-263

正向電流：10A

反向耐壓：100V

浪涌電流：150A

引腳數量：3

芯片個數：2

芯片尺寸：86MIL

漏電流：10uA

芯片材質：

封裝尺寸：如圖

特性：低壓降肖特基二極管

工作溫度：-55℃~+150℃

肖特基二極管概念

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

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