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標(biāo)題: 請教一下各位大佬,單片機驅(qū)動MJD122加下拉電阻不工作 [打印本頁]

作者: ZEROPC    時間: 2021-10-15 16:05
標(biāo)題: 請教一下各位大佬,單片機驅(qū)動MJD122加下拉電阻不工作
用51單片機驅(qū)動MJD122控制一個12V的電磁閥,如圖所示的,現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)不加下拉的1K電阻就能工作 只是單片機通斷電會誤觸發(fā),加了下拉電阻后電路不工作,麻煩各位大佬指點一下問題出在哪里,謝謝

作者: Hephaestus    時間: 2021-10-15 18:33
通電誤觸發(fā)應(yīng)該前面加一個三極管反向,你加下拉如果可以解決通電誤觸發(fā)問題,那么一定不可能正常工作。
作者: ZEROPC    時間: 2021-10-16 08:31
Hephaestus 發(fā)表于 2021-10-15 18:33
通電誤觸發(fā)應(yīng)該前面加一個三極管反向,你加下拉如果可以解決通電誤觸發(fā)問題,那么一定不可能正常工作。

是的,現(xiàn)在就是加下拉就不工作了,板子上的電磁閥比較多如果加三極管的話成本會增加,有沒有其他好的辦法,換管子或者程序調(diào)整呢
作者: yzwzfyz    時間: 2021-10-16 14:13
R45改10K~20K
作者: xuyaqi    時間: 2021-10-16 14:59
應(yīng)該基極加上拉10k電阻到+12v,不要加下拉R45.
作者: xuyaqi    時間: 2021-10-16 15:33
基極加上拉10k到+12v,不要R45下拉,R45改為360歐。
作者: ZEROPC    時間: 2021-10-17 22:00
yzwzfyz 發(fā)表于 2021-10-16 14:13
R45改10K~20K

試過改為10K  電路能工作 不過單片機通斷電還是會誤觸發(fā)電磁閥
作者: ZEROPC    時間: 2021-10-17 22:06
xuyaqi 發(fā)表于 2021-10-16 15:33
基極加上拉10k到+12v,不要R45下拉,R45改為360歐。

是基極10K上拉到12V,取消不要R45下拉, R41改為360歐嗎?
作者: kasu    時間: 2026-4-4 16:36
遇到同樣問題想問一下最后解決了嗎?怎么解決的?
作者: chxelc    時間: 2026-4-27 17:18
用的是什么型號的單片機?上電時IO不要設(shè)置成強推挽。系統(tǒng)穩(wěn)定后再設(shè)置IO強推挽模式。
或者把驅(qū)動電路換成P-MOS,驅(qū)動端加上拉電阻,單片機輸出低電平時導(dǎo)通。
作者: jhczy    時間: 2026-4-28 09:08
單片機上電誤觸發(fā),是端口設(shè)置有問題,當(dāng)然,還要看是使用了什么型號的51單片機,端口是否具備多種狀態(tài)的設(shè)置功能
作者: joyb    時間: 2026-4-28 11:19
MJD122 是一款 NPN 型達(dá)林頓功率晶體管?,采用 TO-252(DPAK) 表面貼裝封裝,集電極 - 發(fā)射極電壓 100V,集電極電流 8A,具有高直流電流增益和內(nèi)置阻尼二極管,廣泛用于通用放大器和低速開關(guān)電路。

基本定義與特性
    器件類型?:MJD122 屬于達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor),由兩個雙極性晶體管以特定方式連接組成的復(fù)合器件,前級晶體管的發(fā)射極直接耦合至后級晶體管的基極。??晶體管極性?:標(biāo)準(zhǔn) MJD122 為?NPN 型?,其互補 PNP 型號為 MJD127。??
    核心特點?:
        高電流增益?:直流電流增益(hFE)可達(dá) 1000-12000,約為兩級晶體管放大倍數(shù)的乘積。
        內(nèi)置保護(hù)?:集電極 - 發(fā)射極間內(nèi)置阻尼二極管,提供反向保護(hù)。??
        單片結(jié)構(gòu)?:帶有內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻,簡化電路設(shè)計。??
    可替代型號?:可替代 2N6040-2N6045 系列、TIP120-TIP122 系列與 TIP125-TIP127 系列。??
  
規(guī)格參數(shù)
參數(shù)名稱
典型值
說明
集電極 - 發(fā)射極電壓 (Vceo)100 V最大工作電壓??1??2
集電極電流 (Ic)8 A部分品牌為 5A??1??8
功率耗散 (Pd)20 W取決于封裝和散熱條件,Tcase=25°C??4
直流電流增益 (hFE)1000-12000@Ic=4A-8A, Vce=4V??2??4
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (VCE(sat))2V-4V@Ic=3A-8A??4??8
發(fā)射極 - 基極電壓 (Vebo)5 V最大反向電壓??1??4
工作溫度范圍-65°C ~ +150°C結(jié)溫上限 150°C??2??4
封裝形式
TO-252 (DPAK)
表面貼裝,3 引腳??1??9

注意:不同制造商(如 onsemi、STMicroelectronics、江蘇長電、邁諾斯等)的具體參數(shù)可能存在差異,選型時應(yīng)參考對應(yīng)品牌的數(shù)據(jù)手冊。

功能用途與應(yīng)用場景



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作者: ucmic    時間: 2026-4-28 16:10
R45改大點,三極管換NMOS,應(yīng)該不需要復(fù)合管。
作者: 老董    時間: 2026-5-1 19:43
前提是單片機IO設(shè)置推挽輸出(或者加很小的上拉電阻 IO低電平時候會增加功耗) 單片機如果輸出3.3V的話 加下拉電阻分壓后基極電流太小 只有100多微安 不容易導(dǎo)通 另外這個電路設(shè)置存在一個致命的安全缺陷 就是一但單片機壞了或者丟程序IO會一直高電平  閥體就會一直吸合 應(yīng)該改成低電平讓閥吸合 PNP管接基極 PNP接NPN的復(fù)合方式 這樣比較安全




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