標(biāo)題: APT30DQ120BG ASEMI快恢復(fù)二極管30A 1200V [打印本頁(yè)]
作者: 強(qiáng)元芯電子 時(shí)間: 2021-5-7 17:45
標(biāo)題: APT30DQ120BG ASEMI快恢復(fù)二極管30A 1200V
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APT30DQ120BG ASEMI快恢復(fù)二極管30A 1200V
型號(hào):APT30DQ120BG
品牌:ASEMI
封裝:TO-247
正向電流:30A
反向耐壓:1200V
恢復(fù)時(shí)間:26ns
引腳數(shù)量:2
芯片個(gè)數(shù):1
操作溫度:-55°C~175°C
APT30DQ120BG快恢復(fù)二極管廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用,或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。
快恢復(fù)二極管(簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。
采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽(yáng)和共陰。應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):
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