標(biāo)題: GaN光學(xué)研究 [打印本頁(yè)]
作者: jfkj2020 時(shí)間: 2021-1-22 10:55
標(biāo)題: GaN光學(xué)研究
在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)的氮化鎵(GaN)為原材料,可以通過(guò)華林科納研制的濕法清洗設(shè)備進(jìn)行光電化學(xué)濕法刻蝕、光化學(xué)濕法刻蝕、小球模板法刻蝕以及烘干、旋涂、提拉、蒸鍍、沉積等半導(dǎo)體材料的工藝方法,初步實(shí)現(xiàn)了圖形化可控刻蝕GaN的目的,并利用III-V族半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)光致發(fā)光、光電流響應(yīng)和表面增強(qiáng)拉曼散射等應(yīng)用。
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GaN光學(xué)研究(1月22).doc
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