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標題: 全新耐高溫2Mbit FRAM是ADAS存儲的理想之選 [打印本頁]

作者: 英尚微電子 時間: 2020-9-24 14:50
標題: 全新耐高溫2Mbit FRAM是ADAS存儲的理想之選
FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面具有優(yōu)勢。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點，具有高速寫數(shù)據(jù)，低功耗，高速讀/寫周期等優(yōu)點。

富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設(shè)有串行外設(shè)接口(SPI)。這種全新的FRAM產(chǎn)品是汽車電子控制單元的最佳選擇，它能滿足汽車市場對諸如ADAS這樣的低功耗電子器件的高端需求。

圖1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝

圖2：應(yīng)用實例(ADAS)

FRAM的讀/寫耐久性、寫速度和功耗都比EEPROM和FRAM好，我們的FRAM被那些不滿足傳統(tǒng)非易失性存儲器性能的用戶所接受。

富士通不斷推出64Kbit~2Mbit汽車級FRAM產(chǎn)品，工作電壓3.3V或5V。但是高端汽車電控單元的推出，使一些用戶開始要求FRAM電壓不超過1.8V。這款全新的FRAM是富士通公司為滿足這個市場需求而推出的。

在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，MB85RS2MLY的讀/寫次數(shù)可達10MB，適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用，如連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數(shù)據(jù)，寫入次數(shù)將超過30億。本產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100Grade1標準，并通過了汽車級產(chǎn)品認證。所以就數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性而言，富士通電子最近推出的鐵電存儲器FRAM完全支持ADAS等應(yīng)用，需要實時數(shù)據(jù)記錄。

該FRAM產(chǎn)品采用工業(yè)標準8-pin SOP封裝，可以很容易地替代現(xiàn)有的EEPROM，類似于管腳。提供8-pinDFN(無引線雙面平面)封裝，外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。

圖3:8pin DFN和8pin SOP封裝

關(guān)鍵規(guī)格
• 組件型號：MB85RS2MLY

• 容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）

• 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

• 運作頻率：最高50 MHz

• 運作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特

• 運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度

• 讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)

• 封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN

• 認證標準：符合AEC-Q100 Grade

作者: 英尚微電子 時間: 2020-9-24 14:50
FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。

作者: 英尚微電子 時間: 2020-9-24 14:53
FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點，具有高速寫數(shù)據(jù)，低功耗，高速讀/寫周期等優(yōu)點。

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