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標(biāo)題: 請(qǐng)問有用過GD32的高手，請(qǐng)教一下程序移植問題 [打印本頁(yè)]

作者: aaaaa551127 時(shí)間: 2020-5-12 20:59
標(biāo)題: 請(qǐng)問有用過GD32的高手，請(qǐng)教一下程序移植問題
最近公司推國(guó)產(chǎn)化，要求使用更廉價(jià)的國(guó)產(chǎn)的GD32f1x替換STM32，請(qǐng)問：
1.我畫原理圖的時(shí)候，可以直接使用STM32的封裝和原理圖嗎？有沒有引腳不對(duì)應(yīng)的情況？或者焊盤長(zhǎng)短問題導(dǎo)致焊不上去？
2.GD32f1x可以用keil開發(fā)嗎？是否可以直接把原來STM32的源工程直接down到GD32f1x中去？如果不可以，有什么需要注意的？或者推薦的文檔參考的？我百度了半天，五花八門的，有點(diǎn)迷，希望有熱心前輩們給我準(zhǔn)信
3.GD32f1x的最小系統(tǒng)板跟STM32最小系統(tǒng)是一樣的嗎？可以直接就換單片機(jī)其他什么都不管嗎？

作者: kvdong 時(shí)間: 2020-5-12 21:08
1，有不同的地方，需要看各自的數(shù)據(jù)手冊(cè)；
2，可以用KEIL開發(fā)，但不能直接寫編譯后的STM32程序，硬件驅(qū)動(dòng)部分有區(qū)別。參考文檔就看數(shù)據(jù)手冊(cè)啊；
3，不一樣，不可以

作者: 1289822847 時(shí)間: 2020-6-19 18:37
Hi，你們公司做什么的，我是GD32的

作者: angmall 時(shí)間: 2020-6-20 07:57
GD32 介紹與 STM32 兼容性匯總
一、  GD32 與 STM32 異同
1. 相同點(diǎn)
1)  外圍引腳定義：    相同型號(hào)的管腳定義相同
2)  Cortex M3 內(nèi)核： STM32F103內(nèi)核 R1P1版本, STM32F205內(nèi)核  R2P1，
                           GD32內(nèi)核 R2P1版本，此內(nèi)核修復(fù)了 R1P1的一些 bug
3)  芯片內(nèi)部寄存器，
外部 IP寄存器地址 : 邏輯地址相同，主要是根據(jù)STM32的寄存器和物理地址,
做的正向研發(fā).
4)  函數(shù)庫(kù)文件：       函數(shù)庫(kù)相同，優(yōu)化需要更改頭文件
5)  編譯工具：          完全相同    例如：keil MDK、IAR
6)  型號(hào)命名方式：       完全相同
2. 外圍硬件區(qū)別
1)  電壓范圍（ADC）： GD32F： 2.6-3.6V       STM32F： 2.0-3.6V（外部電壓）
               GD32F： 1.2V（內(nèi)核電壓）STM32F： 1.8V（內(nèi)核電壓）
2)  BOOT 0 管腳：    Flash 程序運(yùn)行時(shí)，BOOT0 在 STM32 上可懸空，GD32 必須外
部下拉（從 Flash 運(yùn)行，BOOT0 必須下拉地）
3)  ESD 參數(shù)：    STM32 人體模式 2KV,空氣模式 500V
               GD32 人體模式 4KV(內(nèi)測(cè) 5KV),空氣模式 10KV(內(nèi)測(cè) 15KV)

3. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)差別
1)  啟動(dòng)時(shí)間：       GD32 啟動(dòng)時(shí)間相同，由于 GD 運(yùn)行稍快，需要延長(zhǎng)上電時(shí)間
配置(2ms)
2)  主頻時(shí)鐘：       GD32F10 系列主頻 108MHZ    STM32F10 系列主頻 72MHZ
3)  Flash 擦除時(shí)間： GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page
4)  FLASH 容量：    GD32 最大容量 3M Byte
5)  SRAM 空間：       GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K
6)  VB 外擴(kuò)總線 FSMC：GD32 100PIN 配置總線輸出，STM32 144PIN 并且 256k 以上
   才配置總線輸出
4. 功耗區(qū)別(以128k以下容量的作為參考)
1)  睡眠模式 Sleep：             GD32F： 12.4mA    STM32F10X：  7.5mA
2)  深度睡眠模式 Deep Sleep：    GD32F： 1.4mA    STM32F10X：  24uA
3)  待機(jī)模式 Stand By:          GD32F:  10.5uA    STM32F10X: 3.4uA
4)  運(yùn)行功耗：                   GD32F:  32.4mA/72M STM32F10X:  52mA/72M

5. 內(nèi)部FLASH 區(qū)別
1)  ISP：          擦寫時(shí)間同 STM32 有差異，使用新版 ISP 軟件
2)  IAP：          擦寫時(shí)間相同，按字寫入，按頁(yè)擦除
3)  存儲(chǔ)壽命：    10 萬(wàn)次擦寫，數(shù)據(jù)保存 20 年以上
4)  加密特性：    除了常規(guī)的禁止讀出和96 位 ID號(hào)碼加密之外，GD32 數(shù)據(jù)寫入
Flash 時(shí)，具有存儲(chǔ)邏輯地址連續(xù)，物理地址不連續(xù)的特性。
二、  GD32 介紹與兼容性詳析

http://www.denmoz.com/bbs/dpj-170368-1.html

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