| 仿真的實驗現象圖已經放在后面了,大佬幫我看看問題啊 現在就是LCD顯示的溫度和實際模擬溫度不一致, /**************************************************/ #include<reg51.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define delayNop(); {_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();}; uchar code table[]=" ERROR!!! "; uchar code table1[]="xianzaiwendu "; uchar code table2[]="Temp= . Cent"; uchar code table3[10]="0123456789"; sbit lcd_rs=P1^0; //sbit lcd_rw=P1^1; sbit lcd_en=P2^5; sbit DQ=P2^2; uchar num,time; void delay(uint t) { unsigned char n; while(t--) { for(n = 0; n<250; n++) { _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); } } } void write_com(uchar com) //寫命令 { ////lcd_rw=0; //delay(5); lcd_rs=0; lcd_en=0; _nop_(); _nop_(); P0=com; delayNop(); lcd_en=1; delay(1); lcd_en=0; } void write_date(uchar date) //寫數據 { //lcd_rw=0; // delay(5); lcd_rs=1; lcd_en=0; _nop_(); _nop_(); P0=date; delayNop(); lcd_en=1; delay(1); lcd_en=0; } void init() //初始化函數 { // dula=0; // wela=0; lcd_en=0; //可以試試不加這一句看結果怎樣 write_com(0x38); write_com(0x0c); write_com(0x06); write_com(0x01); } uchar init_DS18bB20() { bit flag; DQ=1; //人為拉高 for(time=0;time<2;time++); //稍微延時6US; DQ=0; //認為拉低 for(time=0;time<200;time++); //延時600US給單片機檢測 DQ=1; //被上拉電阻拉高 (仿真里面沒有上拉,有沒有都需要人為拉高) for(time=0;time<20;time++); // 延時60US檢測 flag=DQ; //這時又被DS18B20拉低, for(time=0;time<200;time++); //延時600US檢測時間 return flag; //返回0表示存在 } void Write_Byte(uchar dat) //寫一個字節,單片機向DS18B20寫命令,確定DS18B20的工作方法之類的 { unsigned char i=0; for (i=0; i<8; i++) { DQ =1; // 先將數據線拉高 _nop_(); //等待一個機器周期 DQ=0; //將數據線從高拉低時即啟動寫時序 DQ=dat&0x01; //利用與運算取出要寫的某位二進制數據, //并將其送到數據線上等待DS18B20采樣 for(time=0;time<10;time++) ;//延時約30us,DS18B20在拉低后的約15~60us期間從數據線上采樣 DQ=1; //釋放數據線,也就是被上拉電阻拉高,反正就是要把這個口釋放,然后來執行下一個命令 for(time=0;time<1;time++) ;//延時3us,兩個寫時序間至少需要1us的恢復期 dat>>=1; //將dat中的各二進制位數據右移1位 } for(time=0;time<4;time++) ; //稍作延時,給硬件一點反應時間 } uchar Read_Byte() { uchar i=0; uchar dat;//用來儲存讀出的一個字節,默認為0 for(i=0;i<8;i++) { DQ=1; _nop_(); DQ=0; //讀命令一定得是低電平 dat>>=1; //讀取數據是從高位開始讀,dat默認是0,也就是0000 0000, // 這是下標是指向最高位的,所以得先右移一位讓出一個位置 _nop_(); //需要>1US; DQ=1; //又被上拉電阻拉高 for(time=0;time<2;time++); if(DQ==1) //由DQ發送的信號來決定,發送的是高電平還是低電平 dat|=0x80; //高電平就或0x80,1000 0000 else dat|=0x00; //低電平就或,0x00 for(time=0;time<5;time++);//延時10US左右,因為需要在15US內完成讀取 } return dat; } void Readyread()//做好讀溫度準備。。。。可以加在主函數里面,但是分出來比較清晰明了 { init_DS18bB20(); Write_Byte(0xcc); //跳過讀序號 Write_Byte(0x44); //啟動溫度轉換 for(time=0;time<100;time++); init_DS18bB20(); //再初始化一下 Write_Byte(0xcc); //跳過讀序號 Write_Byte(0xbe); //都溫度寄存器,前兩個分別是溫度的,低,高位 } void display() //顯示第一行說明 { write_com(0x80); for(num=0;num<16;num++) { write_date(table[num]); // delay(1); } while(1); } void display1() //顯示第二行說明 { write_com(0x80); for(num=0;num<16;num++) { write_date(table1[num]); // delay(1); } } void display2() { write_com(0x80+0x40); for(num=0;num<16;num++) { write_date(table2[num]); //delay(1); } } void display_temp(uchar x) //顯示溫度整數部分 { uchar bai,shi,ge; bai=x/100; shi=(x%100)/10; ge=x%10; write_com(0x80+0x46); write_date(table3[bai]); write_date(table3[shi]); write_date(table3[ge]); } void display1_temp(uchar x) //顯示溫度小數部分 { write_com(0x80+0x4a); write_date(table3[x]); } void main() { uchar TL;//儲存暫存器的溫度最高位 uchar TH;//儲存暫存器的溫度最低位 uchar TN; //儲存溫度整數部分 uchar TD; //儲存溫度小數部分 init(); if(init_DS18bB20()==1) display(); display1(); display2(); while(1) { Readyread(); TL=Read_Byte(); TH=Read_Byte(); TN=TH*16+TL/16; //實際溫度值=(TH*256+TL)/16,即:TH*16+TL/16 //這樣得出的是溫度的整數部分,小數部分被丟棄了 TD=(TL%16)*10/16; //計算溫度的小數部分,將余數乘以10再除以16取整, //這樣得到的是溫度小數部分的第一位數字(保留1位小數) display_temp(TN); display1_temp(TD); _nop_(); _nop_(); } } |
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