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標題: MOS管原理圖解 [打印本頁]

作者: qqarshavin 時間: 2019-8-22 09:46
標題: MOS管原理圖解

閘極加入正電壓時，通道內之正電荷被排斥，而源極與汲極之負電荷被吸引而移向閘極。

閘極加入更多的正電壓，源極與汲極的負電荷受到更大的吸引，向通道移動。

當閘極的電壓足夠大時(大於臨界電壓)，氧化層下充滿負電荷而形成通道，電晶體成為導通狀態。

結論
•NMOS電晶體在閘極不加電壓時，呈現所謂的“截止狀態”。不論源汲極間電壓為何，源汲極無法導通。
• 當NMOS之閘極電壓大於某臨界電壓值時，電晶體呈現所謂的“導通狀態”，源汲極間電流可流通。

PMOS的改進
• 另一種方式
– 將通道加上正電壓，則閘極就形成相對負電
– 此時閘極接地就可產生通道現像

PMOS的工作原理
• 閘極為0時，通道導通
• 閘極為1時，通道反而不通
• 但是基底要接上正電源

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作者: 13698468382 時間: 2019-8-29 11:07
多謝，解惑了

作者: elec_hangzhou 時間: 2020-1-14 16:06
下下來看看有沒有用

作者: tieq1952 時間: 2020-1-19 08:03
謝謝分享!!!

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