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標題: 分立的HEXFET功率MOSFET IR選型指南(詳細的參數(shù)列表) [打印本頁]

作者: ashly0903 時間: 2018-11-30 09:43
標題: 分立的HEXFET功率MOSFET IR選型指南(詳細的參數(shù)列表)
附件為IR選型內(nèi)容，值得推薦
功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（SMPS）的整流組件。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導通。

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