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標(biāo)題: STM32超強(qiáng)個(gè)人學(xué)習(xí)筆記，超詳細(xì)單片機(jī)學(xué)習(xí)匯總資料 [打印本頁(yè)]

作者: 我愛你楠 時(shí)間: 2018-8-23 20:19
標(biāo)題: STM32超強(qiáng)個(gè)人學(xué)習(xí)筆記，超詳細(xì)單片機(jī)學(xué)習(xí)匯總資料

1、 SYSCLK時(shí)鐘源有三個(gè)來源：HSI RC、HSE OSC、PLL

2、 MCO[2：0]可以提供4源不同的時(shí)鐘同步信號(hào),PA8
3、 GPIO口貌似有兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管用作鉗位二極管。

4、 ICode總線，DCode總線、系統(tǒng)總線、DMA總線、總線矩陣、AHB/APB橋
5、在使用一個(gè)外設(shè)之前，必須設(shè)置寄存器RCC_AHBENR來打開該外設(shè)的時(shí)鐘
6、 STM32復(fù)位有三種：系統(tǒng)復(fù)位、上電復(fù)位、備份區(qū)域復(fù)位。其中系統(tǒng)復(fù)位除了RCC_CSR中的復(fù)位標(biāo)志和BKP中的數(shù)值不復(fù)位之外，其他的所有寄存器全部復(fù)位。
觸發(fā)方式例如外部復(fù)位、看門狗復(fù)位、軟件復(fù)位等；電源復(fù)位由于外部電源的上電/掉電復(fù)位或者待機(jī)模式返回。
復(fù)位除了BKP中的寄存器值不動(dòng)，其他全部復(fù)位；備份區(qū)域復(fù)位的觸發(fā)源為軟件復(fù)位或者VDD和VBAT全部掉電時(shí)。
7、（NestedVectored Interrupt Controller）NVIC嵌套向量中斷控制器，分為兩種：搶先式優(yōu)先級(jí)（可嵌套）和中斷優(yōu)先級(jí)（副優(yōu)先級(jí)，不能嵌套）。
兩種優(yōu)先級(jí)由4位二進(jìn)制位決定。分配下來有十六種情況：

8、自動(dòng)裝載寄存器和影子寄存器：前者相當(dāng)于51當(dāng)中的溢出設(shè)定數(shù)值。而影子寄存器顧名思義是影子，就是寄存器的另一分copy。
實(shí)際起作用的是影子寄存器，而程序員操縱的則是自動(dòng)裝載寄存器。如果APPE位使能，表明自動(dòng)裝載寄存器的值在下一次更新事件發(fā)生后才寫入新值。
否則，寫入自動(dòng)裝載寄存器的值會(huì)被立即更新到影子寄存器。

9、

10、ARM公司只生產(chǎn)內(nèi)核標(biāo)準(zhǔn)，不生產(chǎn)芯片。ST、TI這樣的公司從ARM公司那里購(gòu)買內(nèi)核，然后外加自己的總線結(jié)構(gòu)、外設(shè)、存儲(chǔ)器、始終和復(fù)位、I/O后就組成了自己的芯片。

11、電容觸摸屏原理：通過充放電的曲線不同來檢測(cè)是否被按下。實(shí)際的實(shí)驗(yàn)過程中，TPAD可以用一塊覆銅區(qū)域來替代，通過電容的充放電常數(shù)來確定是否按下。

12、OLED，即有機(jī)發(fā)光二極管，又稱為有機(jī)電激光顯示。下圖為OLED的GRAM與屏幕的對(duì)應(yīng)表

PAGE2單獨(dú)列出來：

13、USART可以操縱SPI設(shè)備。不過最大頻率只有4.5MHz
14、使用I/O口時(shí)應(yīng)該注意的問題

15、ADC的Vref+和Vdda與VSS，Vref-一定要加高質(zhì)量的濾波電容，切靠近單片機(jī)。

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1、在STM32內(nèi)部，F(xiàn)SMC的一端通過內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex－M3，另一端則是面向擴(kuò)展存儲(chǔ)器的外部總線。
內(nèi)核對(duì)外部存儲(chǔ)器的訪問信號(hào)發(fā)送到AHB總線后，經(jīng)過FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲(chǔ)器通信規(guī)約的信號(hào)，送到外部存儲(chǔ)器的相應(yīng)引腳，實(shí)現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互。
2、FSMC中的DATASET和ADDSET的設(shè)置需要參看外部存儲(chǔ)器的時(shí)序圖來確定。
一般而言，DATASET指的是數(shù)據(jù)建立時(shí)間，也就是讀/寫信號(hào)開始到讀/寫信號(hào)停止（上升沿存儲(chǔ)數(shù)據(jù)）的持續(xù)時(shí)間。（一般來說寫比讀快！）。
而ADDSET指的是地址建立時(shí)間，指的是片選之后到讀/寫操作之前的時(shí)間，這是針對(duì)SRAM來說的，如果操縱的是TFT，不存在地址線，所以此時(shí)的ADDSET就是讀/寫信號(hào)結(jié)束到RS電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間。

3、

4、

5、FSMC的三個(gè)配置寄存器：FSMC_BCRx(片選控制配置)、FSMC_BTRx(片選時(shí)序)、FSMC_BWTRx(片選寫時(shí)序)。
6、RTC時(shí)鐘配置必須要用到BKP寄存器，BKP寄存器在單片機(jī)復(fù)位、電源復(fù)位、待機(jī)喚醒模式下是不會(huì)更改值的，他的供電由VDD供電，VDD被切斷后自動(dòng)切換至外部的VBAT供電。
7、要修改BKP寄存器的值，必須取消其寫保護(hù)的標(biāo)志。BKP寄存器在上電時(shí)自動(dòng)寫保護(hù)。
8、Stm32有三種省電模式：

三種省電模式中，耗電量從上到下依次降低，待機(jī)模式的電流僅為2uA。
9、從待機(jī)模式中喚醒單片機(jī)等效于讓單片機(jī)復(fù)位，但是電源寄存器的值會(huì)有一個(gè)標(biāo)志位指示單片機(jī)是被喚醒的，不是被復(fù)位的。
10、ADC的時(shí)鐘不要超過14MHz，否則轉(zhuǎn)換精度會(huì)下降。最大轉(zhuǎn)換速率為1MHz，即轉(zhuǎn)換周期為1us(14MHz,采樣周期為1.5個(gè)ADC時(shí)鐘)
11、Tcovn=采樣時(shí)間+12.5個(gè)周期。采樣時(shí)間盡量選長(zhǎng)一點(diǎn)，這樣精度高一些，但是轉(zhuǎn)換速率下降，這也是有利必有弊。
12、

13、拿ARM7TDMI來說，T代表Thumb指令集，D是說支持JTAG調(diào)試(Debugging)，M意指快速乘法器，I則對(duì)應(yīng)一個(gè)嵌入式ICE模塊。
14、MMU作為嵌入式處理器與應(yīng)用處理器的分水嶺標(biāo)志à具有內(nèi)存管理單元的嵌入式處理器可以定位為應(yīng)用處理器。
這么說M系列和A系列的處理器的區(qū)別在于A系列的處理器具有MMU單元可以進(jìn)行內(nèi)存模塊的管理。
15、ARM處理器有兩種狀態(tài)：ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)。

16、這張圖說明了一切：Thumb2指令集做了一件很偉大的事情：將16位和32位的指令集融為一體，兼容性非常強(qiáng)！（這么說CM3不支持某些32位ARM指令集？？）
17、

18、MSP是系統(tǒng)復(fù)位后使用的堆棧指針，PSP由用戶的代碼使用。兩個(gè)堆棧指針為4字節(jié)對(duì)齊！！
19、在ARM編程領(lǐng)域中，凡是打斷程序運(yùn)行的事件，統(tǒng)稱為異常(exception)。
20、因?yàn)榇嬖贚R（鏈接寄存器），所以可支持1級(jí)的子程序調(diào)用而不用壓棧到內(nèi)存，大大提高了運(yùn)行速度。---à這就是說，我們?cè)诰幊痰臅r(shí)候，一級(jí)調(diào)用是不會(huì)耗費(fèi)太多時(shí)間的，除非是二級(jí)調(diào)用！
（未完待續(xù)）

作者: nemo250 時(shí)間: 2018-8-26 12:47
謝謝分享，總結(jié)的好

作者: 李雄斌 時(shí)間: 2018-8-28 13:41
謝謝分享！

作者: jjwangxu2008 時(shí)間: 2018-9-3 16:43
謝謝分享！

作者: rencm 時(shí)間: 2018-9-3 19:36
謝謝分享，寫得很詳細(xì)！！

作者: jiangkeqin_sy 時(shí)間: 2018-10-11 14:23
謝謝分享，總結(jié)的好

作者: lyl_420819 時(shí)間: 2019-4-29 13:22
學(xué)習(xí)了，謝謝分享。

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