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標(biāo)題: Stm32f103c8t6工程模板（內(nèi)部晶振）源碼 [打印本頁(yè)]
作者: xmmheizi    時(shí)間: 2018-8-1 14:54
標(biāo)題: Stm32f103c8t6工程模板（內(nèi)部晶振）源碼
雖說(shuō)內(nèi)部晶振相對(duì)外部晶振誤差較大，但是在大部分情況下不需要太高的精確度，使用內(nèi)部晶振就可以搞定。

單片機(jī)源程序如下:
  1. #include "config.h"

  3. Sys_timeTypeDef Systime={0,0,0,0};
  4. u8 once=0;

  6. void Init_Systick(void)   //滴答定時(shí)器
  7. {
  8.        
  9.         SysTick_CLKSourceConfig(SysTick_CLKSource_HCLK);
  10.         SysTick_Config(SystemCoreClock / 1000);
  11.        
  12. }

  14. void SYS_Init(void)
  15. {

  17.         NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
  18.        
  19.         Init_Systick();
  20.   IO_Init();
  21.   uart1_init(9600);

  23. }


復(fù)制代碼

所有資料51hei提供下載:
STM32內(nèi)部晶振.zip (294.87 KB, 下載次數(shù): 184)


作者: guiwan    時(shí)間: 2018-11-25 12:48
現(xiàn)在在做一個(gè)項(xiàng)目，硬件沒(méi)有晶振，需要使用內(nèi)部晶振
作者: icqw1983    時(shí)間: 2019-7-30 11:28
這個(gè)可以支持一下，謝謝！
作者: icqw1983    時(shí)間: 2019-10-14 13:47
可以支持一下！
作者: fengyu1352    時(shí)間: 2020-3-10 15:44
不錯(cuò)，回去直接下載進(jìn)去試下看行不行
作者: 長(zhǎng)風(fēng)007    時(shí)間: 2020-9-22 13:42
正好在調(diào)試一個(gè)程序要用到內(nèi)部晶振。
作者: 長(zhǎng)風(fēng)007    時(shí)間: 2020-12-20 17:52
內(nèi)部晶振的調(diào)試主要是設(shè)置RCC->CFGR，在精度要求不高的情況下使用還是OK的。
作者: 小黎    時(shí)間: 2020-12-20 20:38
牛比學(xué)習(xí)
作者: 單片機(jī)愛(ài)好者223    時(shí)間: 2021-7-14 22:10
RC減少工作量，節(jié)省一個(gè)晶振，2個(gè)電容，減少2個(gè)焊盤(pán)，2個(gè)插件，節(jié)省不少錢(qián)



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