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標題: SI24R2E引腳圖 集成NVM的低功耗2.4GHz GFSK/FSK pdf資料手冊下載 [打印本頁]

作者: DN13    時間: 2018-7-19 13:32
標題: SI24R2E引腳圖 集成NVM的低功耗2.4GHz GFSK/FSK pdf資料手冊下載
Si24R2E是一顆工作在2.4GHzISM頻段,專為低功耗有源RFID應用場合設計,集成嵌入式發射基帶的無線發射芯片、128次可編程NVM存儲器以及自動發射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz,共有126個1MHz帶寬的信道。

SI24R2E的引腳圖:


SI24R2E的管腳功能定義:




  當打開啟自動發射功能,內部Watchdog與內部RCOSC工作時,芯片睡眠狀態下待機電流僅為700nA。當內部Timer定時到時,自動發射控制器自動完成數據從NVM的裝載與發射,數據發射完成后,芯片立即進入睡眠狀態,因此Si24R2E的平均功耗非常低,對于電池供電應用,可以非常容易實現五年以上的待機時間。
  Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部MCU,可以自動完成數據裝載與發射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發射的數據內容,掉電后不會丟失,數據可保持10年以上。在3.3V供電電壓下,無需外部高壓,外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程,芯片最大可編程次數為128次,芯片支持NMV加鎖,防止NVM配置數據回讀,保證用戶數據安全。
  Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要額外接口,外部微控制器(MCU)通過SPI接口對芯片少數幾個寄存器配置即可以實現數據的發射,芯片完全兼容Si24R1發射功能,在不打開自動發射功能時,芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。
  Si24R2E具有非常低的系統應用成本,可以不需要外部MCU,僅少量外圍無源器件即可以組成一個無線數據發射系統。內部集成高PSRR的LDO電源,保證1.9-3.6V寬電源范圍內穩定工作。

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作者: DN13    時間: 2020-4-24 11:03
SI24R2E的注意事項

Si24R2E注意事項.pdf

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作者: 秋葉隨風    時間: 2020-4-24 12:55
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